[发明专利]研磨磨粒、其制造方法、包含该研磨磨粒的研磨浆料及使用该研磨浆料的研磨方法

说明书

本发明的研磨磨粒是由表面被添加剂覆盖、且在pH为8以下时电动电位为正的无机研磨粒子形成的研磨磨粒。而且，上述添加剂优选为皮考啉酸或谷氨酸。上述无机研磨粒子优选为氧化铈粒子。由表面被皮考啉酸或谷氨酸覆盖、且在pH为8以下时电动电位为正的氧化铈粒子形成的研磨磨粒是通过具有在皮考啉酸或谷氨酸的存在下将氧化铈进行湿式粉碎的工序的研磨磨粒的制造方法来制造的研磨磨粒。

技术领域

本发明涉及研磨磨粒、该研磨磨粒的制造方法、包含该研磨磨粒的研磨浆料、使用该研磨浆料的研磨方法。

背景技术

作为化学性地将研磨对象物表面溶解或使其变质等来帮助利用磨粒进行的机械研磨、使研磨的速度及研磨的品质提高的技术，已知有CMP(化学机械平坦化；ChemicalMechanical Planarization)技术。CMP技术在下述的研磨中被经常使用：半导体制造工序中的平坦化工艺、功率器件制造工序中的平坦化工艺、SAW(声表面波)器件/BAW(体声波)器件等音响器件制造工序中的平坦化工艺、位置传感器/角度传感器/加速度传感器/磁传感器等传感器制造工序中的平坦化工艺、发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光器件制造工序中的平坦化工艺。

上述的CMP技术难以在抑制研磨伤痕的产生的同时使生产速度提高，基板加工成为生产成本上升的一个原因。

例如，在专利文献1中公开了一种研磨剂，其对包含由氧化硅形成的面和由金属形成的面的被研磨面进行研磨。根据专利文献1中记载的技术，能够一边抑制研磨速度一边进行研磨，能够得到在不产生研磨伤痕的情况下被平坦化的被研磨面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：US2013029489(A1)

发明内容

但是，近年来，器件的高性能化发展，要求在进一步抑制研磨伤痕的产生的同时使研磨速率进一步提高。另外，专利文献1中，对于在将高纯度铈盐进行烧成后通过粉碎形成氧化铈粒子时所使用的分散剂及投入该分散剂的条件未作任何记载。

本发明提供一种研磨磨粒，其由表面被皮考啉酸或谷氨酸覆盖、且在pH为8以下时电动电位(Zeta电位)为正的氧化铈粒子形成。另外，本发明提供由下述研磨磨粒的制造方法制造的上述研磨磨粒，该研磨磨粒的制造方法具有在皮考啉酸或谷氨酸的存在下将氧化铈进行湿式粉碎的工序。

另外，本发明提供一种研磨浆料，其包含上述研磨磨粒。

另外，本发明提供一种被研磨物的研磨方法，其使用上述研磨浆料对被研磨物进行研磨。

另外，本发明提供一种研磨磨粒的制造方法，其是上述研磨磨粒的制造方法，其具有在皮考啉酸或谷氨酸的存在下将氧化铈进行湿式粉碎的工序。

附图说明

图1(a)是作为本发明的研磨浆料的被研磨物的测试用STI图案基板的示意平面图，图1(b)是将测试用STI图案基板的一部分放大而得到的示意平面放大图。

图2是图1中所示的测试用STI图案基板的放大剖面图。

具体实施方式