[发明专利]光伏发电装置在审
| 申请号: | 201780040630.3 | 申请日: | 2017-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN109463018A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
| 发明(设计)人: | 王孟;张军彪;王兴华 | 申请(专利权)人: | 加拿大芯光道能技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/042;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
| 地址: | 加拿大不列*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光伏结构 光伏层 侧壁 三维 光伏发电装置 发电装置 固体光学 光学包层 纵向轴线 光学芯 接收光 透光 底端 芯体 暴露 | ||
1.一种光伏结构,包括:
透光固体光学芯体,该透光固体光学芯体具有纵向轴线,所述芯体具有顶端、底端和一个或多个侧壁,所述顶端具有暴露的外表面以接收光;
光伏层,该光伏层围绕所述光学芯体的侧壁中的一个或多个的至少一部分;以及
光学包层,该光学包层围绕所述光伏层。
2.根据权利要求1所述的光伏结构,其中,所述光伏层和所述包层围绕所述光学芯体的底端。
3.根据权利要求2所述的光伏结构,其中,所述结构具有类似几何棱柱的形状。
4.根据权利要求1所述的光伏结构,其中,所述底端是一个点;或者其中所述底端包括非零面积的表面。
5.根据权利要求2所述的光伏结构,其中,所述结构具有锥形形状。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光伏结构,其中,所述光学芯体具有大于所述光学包层的折射率的折射率。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光伏结构,其中,所述光学芯体具有近似等于所述光伏层的折射率的折射率。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光伏结构,其中,所述光学芯体由非导电、非不透明和/或光能透过的材料制成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光伏结构,其中,所述光伏层包括多层结构,所述多层结构包括:与所述光学芯体接触的内部金属层,包括一个或多个PN结并围绕内部层的一个或多个半导体层,以及围绕所述半导体层的外部金属层,其中所述内部金属层和所述外部金属层被电耦合到导体以提供电压。
10.根据权利要求9所述的光伏结构,其中,所述内部金属层和所述外部金属层具有高光透过率和高导电率。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的光伏结构,在所述顶端处或其附近还包括附加层,所述附加层具有抗反射性透光外表面和高反射内表面。
12.根据权利要求9或10所述的光伏结构,其中,所述第一金属层和所述第二金属层覆盖所述结构的整个长度。
13.根据权利要求11所述的光伏结构,其中,所述第一金属层和所述第二金属层覆盖从所述底端直到所述附加层的所述结构的长度。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的光伏结构,其中,所述结构包括多个所述多层结构。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的光伏结构,其中,所述光伏层包括多个串联半导体层,其在轴向方向、径向方向和/或圆形方向上具有光谱选择性。
16.根据权利要求9至14中任一项所述的光伏结构,其中,所述半导体层具有在光伏活动期间赋予电子朝向所述光学芯体或远离所述光学芯体的移动的极性。
17.根据权利要求1至14中任一项所述的光伏结构,其中,所述光学芯体、所述光伏层和所述包层的截面形状相同。
18.一种三维光伏发电装置,包括:
基础结构,该基础结构具有上表面和下表面;
多个光伏结构,每个光伏结构具有纵向轴线、顶端和底端,并且包括:
透光固体光学芯体,该透光固体光学芯体具有顶端、底端以及一个或多个侧壁,芯体的顶端具有暴露的外表面以接收光;
光伏层,该光伏层围绕所述光学芯体的侧壁中的一个或多个的至少一部分;以及
光学包层,该光学包层围绕所述光伏层;
其中所述多个光伏结构中的每个的所述底端与所述基础结构的所述上表面直接关联或间接关联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





