[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法

说明书

本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。

技术领域

本发明涉及利用等离子体化学气相蒸镀法的气体阻隔性膜的制造方法。

背景技术

以往，在塑料基板或膜的表面形成了含有氧化铝、氧化镁、氧化硅等金属氧化物的薄膜(气体阻隔层)的气体阻隔性膜在食品、医药品等领域用于包装物品的用途。通过使用气体阻隔性膜，能够防止由水蒸气、氧等气体引起的物品的变质。

然而，近年来，如上所述的防止水蒸气、氧等的透过的气体阻隔性膜也不断被用在液晶显示元件(LCD)、太阳能电池(PV)、有机电致发光元件(EL)等电子设备的领域。为了将气体阻隔性膜用于电子设备，要求特别高的气体阻隔性。

作为气体阻隔性膜的制造方法，已知有利用蒸镀法、溅射法、CVD法等气相成膜法在基材膜上形成无机阻隔层的方法。气相成膜法一般在所形成的气体阻隔层的阻隔性能特别优异这方面具有优点。例如，在日本特开2011-73430号公报(相当于美国专利申请公开第2012/040107号)中，公开了关于利用等离子体化学气相沉积法形成有气体阻隔层的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线满足规定条件的薄膜层的气体阻隔性层叠膜的发明。该文献中记载的气体阻隔性层叠膜具有充分的气体阻隔性，而且记载了在膜弯曲时能够充分抑制气体阻隔性的降低。

发明内容

将气体阻隔性膜用于液晶显示元件(LCD)、有机电致发光元件(EL)等图像显示装置时，要求兼得高度的气体阻隔性和透明性(可见光透射性)。然而，本发明人等发现日本特开2011-73430号公报中记载的发明难以兼得气体阻隔性和光学特性。

因此，本发明的目的在于提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。

本发明人等为了解决上述的课题，进行了深入研究。其结果，发现通过使用含有规定量的选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素以及有机硅氧烷化合物的组合物作为原料，并利用等离子体化学气相蒸镀(等离子体CVD)法形成含硅层(气体阻隔层)，能够解决上述课题，从而完成了本发明。

附图说明

图1是表示在基于等离子体化学气相蒸镀法的气体阻隔层的形成中使用的制造装置的一个例子的示意图。

具体实施方式

本发明的一方面涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，所述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。根据这样的气体阻隔性膜的制造方法，得到的气体阻隔性膜具有优异的气体阻隔性，并且透明性优异。获得这样的效果的详细理由尚不明确，但认为是如下所述的机制。应予说明，下述的机制是推测的，本发明完全不受下述机制限制。