[发明专利]摄像元件用光电转换元件用材料及含有该材料的光电转换元件

权利要求书

1.一种摄像元件用光电转换元件用材料，包含下述式(1)表示的化合物，

式(1)中，R₁及R₂独立表示取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、或是取代或未取代的苯并噻唑基。

2.根据权利要求1所述的摄像元件用光电转换元件用材料，其中，式(1)的化合物为下述式(2)表示的化合物，

式(2)中，R₁及R₂表示与权利要求1所述的式(1)中的R₁及R₂相同含义。

3.根据权利要求2所述的摄像元件用光电转换元件用材料，其中，式(2)的化合物为下述式(3)表示的化合物，

式(3)中，R₁及R₂表示与权利要求1所述的式(1)中的R₁及R₂相同含义。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像元件用光电转换元件用材料，其中，R₁及R₂表示取代或未取代的苯并[b]呋喃基、取代或未取代的苯并[b]噻吩基、或是取代或未取代的2-苯并[d]噻唑基。

5.一种摄像元件用光电转换元件，包含权利要求1至4中任一项所述的摄像元件用光电转换元件用材料。

6.一种摄像元件用光电转换元件，具有p型有机半导体材料与n型有机半导体材料，其中，p型有机半导体材料包含权利要求1至4中任一项所述的摄像元件用光电转换元件用材料。

7.一种摄像元件用光电转换元件，具有(A)第一电极膜、(B)第二电极膜及配置在该第一电极膜与该第二电极膜之间的(C)光电转换部，其中该(C)光电转换部至少包含(c-1)光电转换层及(c-2)光电转换层以外的有机薄膜层，且该(c-2)光电转换层以外的有机薄膜层包含权利要求1至4中任一项所述的摄像元件用光电转换元件用材料。

8.根据权利要求7所述的摄像元件用光电转换元件，其中，(c-2)光电转换层以外的有机薄膜层为电子阻挡层。

9.根据权利要求7所述的摄像元件用光电转换元件，其中，(c-2)光电转换层以外的有机薄膜层为空穴阻挡层。

10.根据权利要求7所述的摄像元件用光电转换元件，其中，(c-2)光电转换层以外的有机薄膜层为电子传输层。

11.根据权利要求7所述的摄像元件用光电转换元件，其中，(c-2)光电转换层以外的有机薄膜层为空穴传输层。

12.根据权利要求5所述的摄像元件用光电转换元件，还具有(D)具有空穴蓄积部的薄膜晶体管、及(E)读取对应于在该薄膜晶体管内所蓄积电荷的信号的信号读取部。

13.根据权利要求12所述的摄像元件用光电转换元件，其中，(D)具有空穴蓄积部的薄膜晶体管还具有(d)连接部，其电性连接空穴蓄积部、与第一电极膜及第二电极膜中的任一者。

14.一种摄像元件，其将权利要求5至13中任一项所述的摄像元件用光电转换元件配置成多个阵列状。

15.一种光传感器，其包含权利要求5至13中任一项所述的摄像元件用光电转换元件或权利要求14所述的摄像元件。