[发明专利]用于检测生物大分子的电子装置有效
申请号: | 201780038240.2 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN109313176B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 伊戈尔·伊万诺夫;艾伯特·楚恩;牛立程;田辉 | 申请(专利权)人: | 阿克斯比尔公司 |
主分类号: | G01N33/487 | 分类号: | G01N33/487;G01N27/74 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 生物 大分子 电子 装置 | ||
1.大分子测量装置,其包括:
电子传感结构;
交界部结构,其位于所述电子传感结构之上;
大分子测量结构,其位于所述交界部结构之上,其中所述大分子测量结构包括多个大分子测量池;并且
所述大分子测量结构包括半导体材料;和
流体控制结构,其位于所述大分子测量结构之上,其中,
所述流体控制结构包括聚合物材料;并且
所述流体控制结构与所述大分子测量结构之间的交界部包括聚合物至氧化物键合;
其中使用半导体制造方法使所述电子传感结构、所述交界部结构、所述大分子测量结构和所述流体控制结构中的每一个与外部环境隔绝,使得装置的内部体积可保持真空至1E10-7 Pa。
2.如权利要求1所述的大分子测量装置,其中所述电子传感结构包括硅-CMOS电子器件。
3.如权利要求1所述的大分子测量装置,其中,
所述交界部结构包括电极;和
所述电极中的每一个将大分子测量池互连至所述电子传感结构。
4.如权利要求1所述的大分子测量装置,其中所述大分子测量结构包括一个或多个流动通道,所述流动通道流体连接至所述多个大分子测量池中的每一个。
5.如权利要求1所述的大分子测量装置,其中所述大分子测量结构包括阴极,其中所述阴极电连接至所述多个大分子测量池中的每一个并且电连接至所述电子传感结构。
6.如权利要求1所述的大分子测量装置,其中,
所述流体控制结构包括多个通道和多个阀;和
所述多个通道和所述多个阀被配置为引导气体、流体、膜组分和/或大分子至所述多个大分子测量池以及从所述多个大分子测量池引导气体、流体、膜组分和/或大分子。
7.如权利要求1所述的大分子测量装置,其包括多个储器,所述多个储器流体连接至所述流体控制结构。
8.制造大分子测量装置的方法,其包括:
提供大分子测量单元,其中所述大分子测量单元包括电子传感结构、位于所述电子传感结构之上的交界部结构和位于所述交界部结构之上的包括半导体材料的大分子测量结构;
提供流体控制单元,其中所述流体控制单元包括载体、位于所述载体之上的释放层和位于所述释放层之上的包括聚合物材料的流体控制结构;和
使用聚合物至氧化物键合方法,使所述流体控制结构键合至所述大分子测量结构,
其中使用半导体制造方法使所述电子传感结构、所述交界部结构、所述大分子测量结构和所述流体控制结构中的每一个与外部环境隔绝,使得装置的内部体积可保持真空至1E10-7 Pa。
9.如权利要求8所述的方法,其包括在键合后从所述流体控制结构去除所述载体和所述释放层。
10.如权利要求8所述的方法,其中使用半导体加工方法制造所述大分子测量单元。
11.如权利要求8所述的方法,其中使用半导体加工方法制造所述流体控制单元。
12.如权利要求8所述的方法,其中所述大分子测量单元通过包括以下的步骤制造:
制造电子传感结构;
在所述电子传感结构上制造交界部结构;和
在所述交界部结构上制造大分子测量结构。
13.如权利要求8所述的方法,其中所述流体控制单元通过包括以下的步骤制造:
提供载体;
使释放层沉积在所述载体上;和
在所述释放层上制造流体控制结构。
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