[发明专利]具有轨到轨输出摆幅的源极退化的放大级

权利要求书

1.一种放大级，包括：

差分放大器，包括晶体管；

第一交叉耦合晶体管，耦合到所述差分放大器的所述晶体管；以及

耦合在所述第一交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。

2.根据权利要求1所述的放大级，其中所述差分放大器包括推挽式放大器，并且其中所述推挽式放大器的所述晶体管包括串叠式连接的晶体管。

3.根据权利要求1所述的放大级，其中所述阻抗包括电阻器。

4.根据权利要求3所述的放大级，其中所述电阻器经由多晶硅电阻器、金属电阻器、扩散电阻器、或有源晶体管来实施。

5.根据权利要求3所述的放大级，其中所述电阻器的电阻基于所述第一交叉耦合晶体管中的一个晶体管的跨导。

6.根据权利要求1所述的放大级，其中：

所述差分放大器的所述晶体管耦合到第一电压轨；并且

所述第一交叉耦合晶体管耦合在第二电压轨与所述差分放大器之间。

7.根据权利要求6所述的放大级，还包括：

第二交叉耦合晶体管，耦合在所述第一电压轨与所述差分放大器之间。

8.根据权利要求7所述的放大级，还包括：

耦合在所述第二交叉耦合晶体管的漏极之间的阻抗。

9.根据权利要求6所述的放大级，其中所述第一交叉耦合晶体管包括耦合在所述第二电压轨与所述差分放大器之间的PMOS晶体管，并且其中所述第二电压轨具有比所述第一电压轨大的电压。

10.根据权利要求6所述的放大级，其中所述第一交叉耦合晶体管包括耦合在所述第二电压轨与所述差分放大器之间的NMOS晶体管，并且其中所述第一电压轨具有比所述第二电压轨大的电压。

11.根据权利要求6所述的放大级，其中所述第二电压轨包括参考电位，并且其中所述第一电压轨具有大于所述参考电位的电压。

12.根据权利要求1所述的放大级，其中所述差分放大器包括：

第一p-沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和第二PMOS晶体管；以及

分别串叠式连接到所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的第一n-沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。

13.根据权利要求12所述的放大级，其中所述第一NMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极包括所述放大级的差分输出。

14.根据权利要求12所述的放大级，其中所述第一NMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极包括所述放大级的差分输入。

15.根据权利要求1所述的放大级，其中所述放大级包括AB类放大级。

16.根据权利要求1所述的放大级，其中所述差分放大器的所述晶体管包括鳍式场效应晶体管(FinFET)。

17.一种用于放大信号的方法，包括：

利用放大级来放大差分输入信号，所述放大级包括差分放大器，所述差分放大器包括晶体管；以及

使用耦合到所述差分放大器的所述晶体管的第一交叉耦合晶体管来使所述晶体管的源极退化。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述差分放大器包括推挽式放大器，并且其中所述推挽式放大器的所述晶体管包括串叠式连接的晶体管。

19.根据权利要求17所述的方法，其中在所述第一交叉耦合晶体管的漏极之间耦合有阻抗。