[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法

权利要求书

1.一种原子层生长装置，其特征在于，具有：

成膜容器，其对基板进行成膜处理；

载物台，其能够上下移动且设置在所述成膜容器内；

基座，其被保持在所述载物台上，并保持所述基板；

载物台停止器，其使所述载物台的上升停止，并通过与所述基座的接触，划分出进行所述成膜处理的成膜空间与进行所述基板的搬送的搬送空间；

所述基座具有：第一基座，其保持所述基板；第二基座，其配置在所述第一基座的周围；

所述第二基座被配置在所述载物台停止器的位于基板侧的侧面和所述第一基座的位于基板的正下方侧面之间的位置；

所述第二基座的位于载物台停止器的侧面是位于较所述载物台停止器的位于基板侧的侧面更内侧的位置；

在所述第二基座上设置有基座防附着材料。

2.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述基座具有：上部基座，其包括有所述第一基座和所述第二基座；下部基座，其对所述上部基座进行支撑；

所述上部基座具有：上部基座基板保持部，其具有保持所述基板的保持面；上部基座周边部，其位于所述上部基座基板保持部的周围，并且高度比所述保持面低；

所述基座防附着材料设置在所述上部基座周边部上。

3.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，所述上部基座周边部的侧面位于所述载物台停止器的位于基板侧的侧面的内侧，所述上部基座与所述下部基座被固定在所述上部基座周边部。

4.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述基座具有：上部基座，其包括有所述第一基座和所述第二基座；下部基座，其对所述上部基座进行支撑；

所述上部基座具有保持所述基板的上部基座基板保持部，

在所述基座形成有非活性气体供给路径，该非活性气体供给路径分别经由所述基板与所述基座防附着材料之间的间隙、及所述上部基座基板保持部与所述基座防附着材料之间的间隙，向所述成膜空间供给非活性气体，

在所述成膜容器设置有向所述非活性气体供给路径供给所述非活性气体的非活性气体供给部。

5.根据权利要求4所述的原子层生长装置，其特征在于，形成于所述基座的所述非活性气体供给路径包括有形成于所述上部基座的上部非活性气体供给路径及形成于所述下部基座的下部非活性气体供给路径，所述上部非活性气体供给路径与所述下部非活性气体供给路径相连通。

6.根据权利要求4所述的原子层生长装置，其特征在于，由所述基板与所述基座防附着材料之间的所述间隙形成的非活性气体排出口，在所述上部基座基板保持部的周围，沿着整周形成有多个，或者在整周上连续形成。

7.根据权利要求6所述的原子层生长装置，其特征在于，所述非活性气体在所述载物台的面温度±10％以内的温度下，从所述非活性气体排出口排出。

8.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，在所述基座设置有从外部供给非活性气体的非活性气体供给路径，并且在所述上部基座基板保持部与所述上部基座周边部之间的位置形成有与所述非活性气体供给路径相连通的非活性气体供给口。

9.根据权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于，所述非活性气体供给口形成有多个。

10.根据权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于，在所述成膜容器形成有与所述非活性气体供给路径相连接的非活性气体通气口。