[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有作为动作区域的单元区域以及在俯视时包围所述单元区域的终端区域，该半导体装置的特征在于，具备：

基板；

第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的柱形区域，在所述基板上沿厚度方向延伸，且在与所述厚度方向垂直的垂直方向上从所述单元区域至所述终端区域交替地形成；

第二导电类型的降低表面电场层，在所述终端区域中，跨多个所述柱形区域地形成，从所述漂移区域和所述柱形区域的表面在所述厚度方向上形成；以及

第二导电类型的高浓度区域，形成于所述降低表面电场层的表面内，杂质浓度比所述降低表面电场层高，

其中，在所述高浓度区域的所述厚度方向的下方未形成所述柱形区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区域形成于形成有所述降低表面电场层的全部所述柱形区域之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区域的所述垂直方向的宽度随着朝向所述终端区域的与所述单元区域相反的一侧而变小。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视时隔着所述降低表面电场层相邻的所述柱形区域之间在所述柱形区域的间隔方向上形成有多个所述高浓度区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区域的厚度小于所述降低表面电场层的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区域的杂质浓度相比于所述降低表面电场层的杂质浓度高10倍以上。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视时隔着所述降低表面电场层相邻的所述柱形区域之间在所述柱形区域的长度方向上形成有多个所述高浓度区域。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述柱形区域以从所述表面到达所述基板的方式形成。

9.一种半导体装置，具有作为动作区域的单元区域以及在俯视时包围所述单元区域的终端区域，该半导体装置的特征在于，具备：

基板；

第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的柱形区域，在所述基板上沿厚度方向延伸，且在与所述厚度方向垂直的垂直方向上从所述单元区域至所述终端区域交替地形成；

第二导电类型的耐压保持构造，在所述终端区域中，从所述漂移区域和所述柱形区域的表面在所述厚度方向上以包围所述单元区域的方式呈环状且分离地形成有多个；以及

第二导电类型的高浓度区域，形成于所述耐压保持构造的表面内，杂质浓度比所述漂移区域高，

其中，在所述高浓度区域的所述厚度方向的下方未形成所述柱形区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述柱形区域以从所述表面到达所述基板的方式形成。

11.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有作为动作区域的单元区域以及在俯视时包围所述单元区域的终端区域，该半导体装置的制造方法具备：

(a)准备基板的工序；

(b)形成第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的柱形区域的工序，该第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的柱形区域在所述基板上沿厚度方向延伸，且在与所述厚度方向垂直的垂直方向上从所述单元区域至所述终端区域交替地形成；

(c)在所述终端区域中，跨多个所述柱形区域地从所述漂移区域和所述柱形区域的表面在所述厚度方向上形成第二导电类型的降低表面电场层的工序；以及

(d)在所述降低表面电场层的表面内，以使杂质浓度比所述降低表面电场层高、且在所述厚度方向的下方不形成所述柱形区域的方式形成所述第二导电类型的高浓度区域的工序。