[发明专利]发射红光的磷光体及相关装置有效
| 申请号： | 201780034265.5 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN109219646B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | W·W·比尔斯;J·何;F·杜;J·E·墨菲;W·E·科恩;C·D·尼尔森;C·S·林克 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 红光 磷光体 相关 装置 | ||
1.一种制备磷光体的方法，其包括：
获得式Ax[MFy]:Mn4+的磷光体前体的颗粒，其中A为锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或铯(Cs)中的一种或多种，其中M为硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、钪(Sc)、铪(Hf)、钇(Y)、镧(La)、铌(Nb)、钽(Ta)、铋(Bi)或钆(Gd)中的一种或多种，其中x具有[MFy]的离子的电荷绝对值的值，并且其中y具有至少五且不大于七的值；
通过湿磨所述颗粒来减小所述磷光体前体颗粒的尺寸，其中减小所述颗粒的尺寸包括在溶解了饱和K2SiF6的HF溶液中研磨所述颗粒；以及在此之后
通过使所述颗粒与含氟氧化剂接触来使经湿磨的颗粒退火，从而提供锰掺杂的复合氟化物磷光体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中使所述经湿磨的颗粒在至少100摄氏度的温度下退火。
3.根据权利要求1所述的方法，其中研磨所述颗粒将所述磷光体前体的尺寸减小至中值不大于二十二微米的粒度分布。
4.根据权利要求1所述的方法，其中研磨所述颗粒将所述磷光体前体的尺寸减小至中值不大于十五微米的粒度分布。
5.一种锰掺杂的复合氟化物磷光体，其通过根据权利要求1所述的方法制备。
6.一种照明仪器，其包括：
半导体光源；和
锰掺杂的复合氟化物磷光体，其通过根据权利要求1所述的方法制备。
7.一种背光装置，其包括：
半导体光源；和
锰掺杂的复合氟化物磷光体，其通过根据权利要求1所述的方法制备。
8.一种制备磷光体的方法，其包括：
获得K2SiF6:Mn4+磷光体前体的颗粒；
通过湿磨所述颗粒来减小所述磷光体前体颗粒的尺寸，其中减小所述颗粒的尺寸包括在溶解了饱和K2SiF6的HF溶液中研磨所述颗粒；以及在此之后
通过使所述颗粒与含氟氧化剂接触来使经湿磨的颗粒退火，从而提供锰掺杂的复合氟化物磷光体。
9.根据权利要求8所述的方法，其中获得所述颗粒包括通过以下合成所述颗粒：混合包含钾源、硅源和锰源的溶液，从混合的溶液中沉淀所述颗粒，并且过滤所述颗粒和所述溶液的剩余部分。
10.根据权利要求8所述的方法，其中使所述经湿磨的颗粒在至少100摄氏度的温度下退火。
11.根据权利要求8所述的方法，其中研磨所述颗粒将所述磷光体前体的尺寸减小至中值不大于二十二微米的粒度分布。
12.一种锰掺杂的复合氟化物磷光体，其通过根据权利要求8所述的方法制备。
13.一种照明仪器，其包括：
半导体光源；和
锰掺杂的复合氟化物磷光体，其通过根据权利要求8所述的方法制备。
14.一种背光装置，其包括：
半导体光源；和
锰掺杂的复合氟化物磷光体，其通过根据权利要求8所述的方法制备。
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