[发明专利]包含碳族非氧化物纳米粒子的抗菌剂及其制备方法

说明书

本发明的一实施例提供包含平均粒度为5～400nm的碳族非氧化物纳米粒子的抗菌剂及其制备方法。

技术领域

本发明涉及包含碳族非氧化物纳米粒子的抗菌剂及其制备方法。

背景技术

碳族(4A族或者14族)元素纳米粒子作为下一代基于硅的光电器件(optoelectronic device)的应用和纳米器件开发的核心要素，成为很多研究人员高度关注的对象，碳族纳米粒子作为利用显示器的场效应晶体管(TFT)、PN结的太阳能电池、二极管及生物体的显示剂等其应用范围非常广。

以往，作为制备碳族之一的硅纳米粒子的最普通的方法，使用利用化学方法还原四氯化硅、硅三乙基原硅酸酯等硅源的方法，上述方法存在硅纳米粒子的过度加帽、硅纳米粒子的氧化及烧结过程后的碳等杂质残存的问题。

为了解决这种问题，利用通过气液固法(VLS，vapor-liquid-solid)或者固液固法(SLS，solid-liquid-solid)沉积硅源的方法，但是这种方法存在如下问题，即，硅源在高压力、高温条件下沉积，从而不仅反应条件恶劣，而且难以进行处理，需要昂贵的设备，硅纳米粒子的收率也低。

另一方面，以往硅等碳族纳米粒子主要适用于电子产品等，没有对碳族纳米粒子的表面进行改性来用作抗菌剂的例。

<现有技术文献>

<专利文献>

(专利文献0001)韩国专利公开第10-2012-0010901号(2012年2月6日)

(专利文献0002)韩国专利公开第10-2014-0072663号(2014年6月13日)

发明内容

技术问题

本发明用于解决上述的现有技术的问题，本发明的目的在于，提供以少量还呈现优秀的抗菌效果，并且制备工序简化，从而制备成本低廉的包含碳族非氧化物纳米粒子的抗菌剂及其制备方法。

技术方案

本发明的一实施方式提供包含平均粒度为5～400nm的碳族非氧化物纳米粒的抗菌剂。

发现本发明的碳族非氧化物纳米粒子呈现仅次于现有有机抗菌剂的显著优秀的抗菌效果，并完成了本法明。

在本说明书中所使用的术语“碳族非氧化物纳米粒子”是指包含C、Si、Ge及Sn中的至少一种碳族(14族)元素，根据需要还包含B的粒子，能够以包含异种的碳族元素合金化的颗粒、或硼(B)与至少一种碳族元素合金化的的颗粒、由异种的碳族元素形成的化合物及由碳族元素和硼形成的化合物的概念来理解。

例如，上述碳族非氧化物纳米粒子可以为Si纳米粒子、Si/B合金纳米粒子、SiB_x纳米粒子、Si/C合金纳米粒子、Si/Ge合金纳米粒子、Si/Ge/B合金纳米粒子、Si/Ge/C合金纳米粒子、Ge纳米粒子、Ge/B合金纳米粒子、GeB_x纳米粒子、Ge/C合金纳米粒子、C/B合金纳米粒子、CB₄纳米粒子及Sn纳米粒子。

本说明书中所使用的术语“非氧化物纳米粒子”是指实际上不包含氧元素(O)的粒子，能够以包括通过自然发生的氧化反应来形成于非氧化物纳米粒子的表面的氧化物层(oxide layer，第一氧化物层)的概念来理解。

优选地，上述第一氧化物层的厚度可以为1nm。由于上述第一氧化物层的厚度为1nm以下的碳族非氧化物纳米粒子与醇、羧酸、水等的反应性高，因此表面改性为烷氧基、羧基及羟基的效率性得以提高，并且基于粒子之间的电排斥力的分散性优秀。