[发明专利]具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池的金属化

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，包括：

基板，所述基板具有光接收表面和背表面；

第一导电类型的第一多晶硅发射极区，所述第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上，其中所述第一薄介电层被夹在所述基板和所述第一多晶硅发射极区之间并且直接接触所述基板和所述第一多晶硅发射极区；

第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区，所述第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一多晶硅发射极区上；

第三薄介电层，所述第三薄介电层设置在所述第一多晶硅发射极区的被所述绝缘层暴露的外部部分上方，并且直接侧向设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间，其中所述第三薄介电层的区域被夹在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区之间并且直接接触所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区；

第一导电触点结构，所述第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上方；以及

第二导电触点结构，所述第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上方。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中所述第一导电触点结构设置为穿过所述绝缘层，并且其中所述第二多晶硅发射极区的一部分与所述绝缘层重叠但与所述第一导电触点结构分开。

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其中所述绝缘层包含氮氧化物或氮化物。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，进一步包括：

非晶硅区，所述非晶硅区设置在所述第二多晶硅发射极区上方。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，进一步包括：

氮化硅区，所述氮化硅区设置在所述第二多晶硅发射极区上方。

6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，进一步包括：

第二导电类型的多晶硅层，所述第二导电类型的多晶硅层设置在所述绝缘层上，其中所述第一导电触点结构被设置为穿过所述第二导电类型的所述多晶硅层以及穿过所述绝缘层。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中所述第二多晶硅发射极区和所述第二薄介电层设置在所述基板中设置的凹陷部中。

8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其中所述凹陷部具有纹理化表面。

9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中所述第一多晶硅发射极区和所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面的平坦部分上，并且其中所述第二多晶硅发射极区和所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面的纹理化部分上。

10.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中所述第一导电触点结构和第二导电触点结构各自包括分别设置在所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区上的基于铝的金属晶种层，并且各自进一步包括设置在所述基于铝的金属晶种层上的金属层。

11.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，进一步包括：

第四薄介电层，所述第四薄介电层设置在所述基板的所述光接收表面上；

第二导电类型的多晶硅层，所述第二导电类型的多晶硅层设置在所述第四薄介电层上；以及

抗反射涂层(ARC)，所述抗反射涂层设置在所述第二导电类型的所述多晶硅层上。

12.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中所述基板为N型单晶硅基板，所述第一导电类型为P型，并且所述第二导电类型为N型。

13.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其中所述第一薄介电层、所述第二薄介电层和所述第三薄介电层均包含二氧化硅。