[发明专利]用于电化学感测、电容感测和场发射感测的基于纳米结构阵列的传感器

权利要求书

1.一种在基片(201)上呈阵列的至少两个单独可寻址的纳米结构(207)的布置，

其中基片(201)不导电，其中在基片内有导电部(208)，

其中所述导电部形成与纳米结构(207)的电触点，形成呈阵列的单独可寻址的纳米结构，

其中纳米结构(207)经由第一基片(201)中的导电部(208)单独地与不导电基片(201)的第一面(202)上的导电路径(403)和第二基片(209)中的导电结构(210)连接，

其中所述纳米结构(207)被介质(3000)覆盖，并且

其中当在所述至少两个纳米结构(207)之间施加电压(900)时，在所述纳米结构之间产生电场或电磁场并在所述纳米结构之间形成电容(700)。

2.根据权利要求1所述的布置，其中所述电场导致带电物质(800)在纳米结构之间的移动。

3.根据权利要求1所述的布置，其中每个纳米结构(207)具有基底尺寸(2210)，其中所述基底尺寸(2210)的范围为约1-1,000,000nm。

4.根据权利要求1所述的布置，其中高度(2220)的范围为约10-1,000,000nm。

5.根据权利要求1所述的布置，其中所述纳米结构(207)包含一个或多个纳米材料。

6.根据权利要求1所述的布置，其中所述纳米结构(207)选自：纳米管、纳米纤维、纳米棒和纳米线。

7.根据权利要求1所述的布置，其中所述纳米结构(207)选自碳纳米管、碳纳米纤维、硅纳米线、氧化锌纳米棒。

8.根据权利要求1所述的布置，其中距离(2213)为每个纳米材料之间的间隙，其范围为1-100nm。

9.根据权利要求1所述的布置，其中所述至少两个纳米结构(207)彼此分开一定距离(800)，其中所述距离(800)的范围为1-100000nm。

10.根据权利要求1所述的布置，其中所述至少两个纳米结构通过基片中的导电部带有正电荷或负电荷。

11.根据权利要求1所述的布置，其中每个纳米材料具有1-100nm的基底尺寸(2212)和1-1,000,000nm的高度(2211)。

12.根据权利要求1所述的布置，其中所述介质(3000)为固体表面或液体或气体。

13.根据权利要求1所述的布置，其中所述介质是静止的或流动的。

14.根据权利要求1所述的布置，其中所述介质选自真空、空气、气体混合物、聚合物、陶瓷、硅、半导体、金属、有机硅、石英、云母、特氟隆、油、溶液和液体混合物。

15.根据权利要求1所述的布置，其中所述介质(3000)比所述纳米结构的高度厚至少约1-500000nm。

16.根据权利要求2所述的布置，其中可在所述纳米结构和外电极之间施加电压(900)。

17.根据权利要求16所述的布置，其中所述外电极的材料可选自金属、复合材料、半导体、导电聚合物和银/氯化银。

18.根据权利要求1所述的布置，其中所述纳米结构阵列可带有恒定电荷或电流。

19.根据权利要求1所述的布置，其中所述纳米结构阵列可带有交变电荷或电流。