[发明专利]卷对卷激光再流焊装置及再流焊方法有效
| 申请号: | 201780033018.3 | 申请日: | 2017-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN109311112B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | 金秉禄;赵完起;崔在浚 | 申请(专利权)人: | 镭射希股份有限公司 |
| 主分类号: | B23K1/005 | 分类号: | B23K1/005;H01S5/00;B23K3/06 |
| 代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
| 地址: | 韩国忠清南道牙山市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 再流焊 装置 方法 | ||
本发明涉及可照射均匀化的激光束,并可简单调节照射区域,用于提高生产性的卷对卷激光再流焊方法。本发明实施例提供卷对卷激光再流焊方法,上述卷对卷激光再流焊方法包括:步骤a),使卷绕成卷形态的基板开卷并向一侧移送;步骤b),在上述基板形成焊接部;步骤c),在上述焊接部放置照射对象器件,在上述基板放置非照射对象器件;步骤d),向放置有上述照射对象器件的焊接部以面照射方式照射激光束来使上述照射对象器件附着于上述基板;步骤e),对通过上述步骤d)制造的基板结构体进行检查;以及步骤f),将上述基板结构体卷绕成卷形态。
技术领域
本发明涉及卷对卷激光再流焊装置及再流焊方法。
背景技术
通常,为了在基板固定半导体器件而实施再流焊工序。批量回流(mass reflow)包括如下工序,即,将附着有焊接物质的基板放置于输送带上,并借助输送带来使基板经过具有红外线加热器(infrared heater)或陶瓷加热器的加热空间。红外线加热器或陶瓷加热器设置于输送带的上侧和下侧,通过向基板上的焊接物质施加热量来将半导体器件附着于基板。在批量回流工序中,红外线集热器或陶瓷加热器向焊接物质施加热量来使半导体器件与基板相紧贴的过程最少需要数分左右的时间,因而并不经济。
最近,使基板和半导体器件相紧贴的基板结构体的厚度变薄,并且使用膜(Film)基板,在一个膜基板附着无源器件、集成电路(IC)器件等半导体器件。在进行批量回流工序期间,会发生膜基板的热变形(膨胀及损伤),因而在批量回流工序之后,集成电路器件很难正常的被焊接在规定的位置。并且,在批量回流工序中,可在基板的下部面和输送带的上部面之间产生气隙(air gap)。因此,由于从红外线加热器施加的热量的一部分被气隙所困并残留在气隙当中,因此可在基板发生热变形。
韩国公开专利第2012-0037543号中公开了利用激光模块的再流焊装置及再流焊方法。根据韩国公开专利第2012-0037543号,利用形成有锡球(Solder Ball)的印刷电路板来对红外线(IR)灯进行预热,并向经过预热的基板照射激光束来使锡球熔融。韩国公开专利第2012-0037543号中公开的利用激光模块的再流焊装置及再流焊方法无法调节激光束照射区域,因此,在一个基板附着无源器件、集成电路器件等半导体器件的情况下,集成电路器件会受到热冲击,从而会发生不良。
中国公开专利第101533482号中公开了利用激光来对芯片进行焊接的方法。根据中国公开专利第101533482号,利用激光,将各向异性导电膜的切割片焊接在基材的凹凸部之后,在基材的凹凸部装载芯片,之后利用激光来对芯片和基材进行焊接。但是,中国公开专利第101533482号中完全没有记载调节激光束照射区域的方法。
美国公开专利第2003-0084563中公开了用于运送加工物的上料卷及下料卷的焊接装置。但是,美国公开专利第2003-0084563号中也未公开调节激光束照射区域的方法。
发明内容
技术问题
本发明所要提供可通过向基板照射均匀的激光束来将照射对象器件焊接在基板的卷对卷激光再流焊技术。
进而,本发明所要提供可根据照射对象器件的形状及位置调节被均匀化的激光束的照射区域的形状及大小的卷对卷激光再流焊技术。
本发明的其他目的可通过对以下实施例所进行的说明来易于理解。
解决问题的手段
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