[发明专利]使用了MFI型沸石(纯硅沸石)的分离膜的制造方法在审
| 申请号： | 201780032720.8 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109195693A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 矢野和宏;板仓正也;筱矢健太郎;今坂怜史 | 申请（专利权）人： | 日立造船株式会社 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D69/10;B01D69/12;C01B37/02;C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离膜 多孔支撑体 原料组合物 膜合成 纯硅 晶种 有机模板剂 沸石膜 制造 附着 制备 浸渍 结晶结构 水热合成 装置设备 未使用 支撑体 组成比 沸石 | ||
【权利要求书】：
1.一种分离膜的制造方法，其为具备多孔支撑体、及在该支撑体上形成的具有MFI型沸石结晶结构的纯硅沸石膜的分离膜的制造方法，其特征在于，包括:
制备晶种的步骤；
使所述晶种附着于所述多孔支撑体上的步骤；
制备包含SiO2、有机模板剂及H2O的膜合成原料组合物的步骤；以及
将附着有所述晶种的所述多孔支撑体浸渍于所述膜合成原料组合物从而进行水热合成的步骤，
所述膜合成原料组合物的组成比为SiO2:有机模板剂:H2O＝1:(0.05～0.15):(50～120)。
2.根据权利要求1所述的分离膜的制造方法，其特征在于，所述有机模板剂包含羟基。
3.根据权利要求2所述的分离膜的制造方法，其特征在于，包含羟基的所述有机模板剂为TPAOH(四正丙基氢氧化铵)。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的分离膜的制造方法，其特征在于，
所述晶种的平均粒径dseed与所述多孔支撑体的表层部平均孔径dsupport之间具有下述式(1)的关系，
[式1]
5.根据权利要求1～4中任一项所述的分离膜的制造方法，其特征在于，
所述多孔支撑体由陶瓷材料构成，该多孔支撑体的平均孔径由该多孔支撑体的内部向形成有所述纯硅沸石膜的该多孔支撑体的表层部变小。
6.根据权利要求5所述的分离膜的制造方法，其特征在于，
所述多孔支撑体的长度方向的一端部或两端部由致密的陶瓷材构成。
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