[发明专利]用于在处理设备中分离功率域的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201780032333.4 申请日: 2017-04-17
公开(公告)号: CN109155300A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: S·拉杰;S·R·钱德拉塞卡兰;邱立;A·特亚吉;M·菲利普;R·弗玛 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/525;H01L23/50;G06F17/50
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 功率轨 处理核 功率域 操作电压 处理功能 处理设备 不规则 衬底 成形 配置 半导体 穿过
【权利要求书】:

1.一种系统,包括:

处理核,所述处理核被建立在半导体衬底上,所述处理核具有第一子核和第二子核,所述第一子核和所述第二子核中的每个子核被配置为执行处理功能;以及

多个功率轨,所述多个功率轨穿过所述处理核的尺寸并且从所述第一子核跨越到所述第二子核,所述功率轨中的每个功率轨被配置为向所述第一子核和所述第二子核提供操作电压,

其中在所述第一子核与所述第二子核之间的边界被不规则地成形,以及

其中所述第一子核和所述第二子核中的每个子核与相应的功率域对应。

2.根据权利要求1所述的系统,进一步包括多个功率中断单元格,所述多个功率中断单元格在所述功率轨从所述第一子核跨越到所述第二子核的点处限定所述第一子核与所述第二子核之间的所述边界。

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述边界在抽象级被不规则地成形,所述抽象级的数量级大于所述功率中断单元格的宽度。

4.根据权利要求2所述的系统,其中每个功率轨包括用于VSS的导线和用于VDD的导线,其中所述用于VDD的导线包括由所述功率中断单元格提供的间断。

5.根据权利要求2所述的系统,其中所述功率中断单元格中的每个功率中断单元格邻接与所述第一子核对应的第一单元格以及与所述第二子核对应的第二单元格。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理核包括从由以下组成的列表选择的项:

相机核;

调制解调器;

数字信号处理器(DSP);以及

中央处理器(CPU)。

7.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理核包括图形处理单元(GPU),并且其中所述第一子核包括着色器单元,并且其中所述第二子核包括累加器单元。

8.根据权利要求1所述的系统,其中单独的功率域与单独的电源对应。

9.根据权利要求1所述的系统,其中单独的功率域与相同的电源对应,所述系统进一步包括将所述电源耦合到所述第一子核的第一开关,以及将所述电源耦合到所述第二子核的第二开关。

10.一种半导体设备,包括:

多个处理核,所述处理核的第一处理核具有第一子核和第二子核;

多个功率轨,所述多个功率轨从所述第一子核跨越到所述第二子核;以及

多个单元格,所述多个单元格在所述功率轨处限定所述第一子核与所述第二子核之间的边界,所述单元格中的每个单元格在相应的功率轨中提供间断;

其中在所述第一子核与所述第二子核之间的所述边界是不规则的,并且其中所述第一子核和所述第二子核被配置为能够独立地功率骤降。

11.根据权利要求10所述的半导体设备,其中所述边界在抽象级被不规则地成形,所述抽象级的数量级大于所述单元格的宽度。

12.根据权利要求10所述的半导体设备,其中每个功率轨包括用于VSS的导线和用于VDD的导线,其中所述用于VDD的导线包括由所述单元格提供的间断。

13.根据权利要求10所述的半导体设备,其中所述单元格中的每个单元格邻接所述第一子核和所述第二子核。

14.根据权利要求10所述的半导体设备,其中所述处理核中的第一处理核包括从由以下组成的列表选择的项:

相机核;

调制解调器;

数字信号处理器(DSP);以及

中央处理器(CPU)。

15.根据权利要求10所述的半导体设备,其中所述处理核中的所述第一核包括图形处理单元(GPU),并且其中所述第一子核包括着色器单元,并且其中所述第二子核包括累加器单元。

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