[发明专利]用于石英玻璃坩埚晶体生长工艺的失透剂

权利要求书

1.一种坩埚，包括具有底壁和侧壁的玻璃状石英体，所述侧壁从底壁向上延伸并限定用于容纳熔融硅材料的空腔，所述侧壁结构和所述底壁各自具有内表面和外表面，所述坩埚包括包含(a)选自钡的第一金属和(b)选自钽、钨、锗、锡或其两种或更多种的组合的第二金属的失透剂。

2.如权利要求1所述的坩埚，其中所述失透剂的第一金属与第二金属的比率为约1:1至约10:1。

3.如权利要求1所述的坩埚，其中所述失透剂的第一金属与第二金属的比率为约2:1至约8:1。

4.如权利要求1所述的坩埚，其中所述失透剂的第一金属与第二金属的比率为约5:2至约6:1。

5.如权利要求1-4任一项所述的坩埚，其中所述失透剂作为涂层设置在坩埚的表面的至少一部分上。

6.如权利要求5所述的坩埚，其中所述涂层包含醇盐、氢氧化物、碳酸盐、溶胶-凝胶溶液或其两种或更多种的组合形式的第一金属，以及醇盐、氢氧化物、酸、氧化物、碳酸盐、溶胶-凝胶溶液或其两种或更多种的组合形式的第二金属。

7.如权利要求6所述的坩埚，其中所述失透剂还包括卤化钡。

8.如权利要求1-4任一项所述的坩埚，其中所述失透剂设置在坩埚体中。

9.如权利要求8所述的坩埚，其中所述失透剂包括(a)氧化钡，和(b)氧化钽、氧化钨、氧化锗、氧化锡或其两种或更多种的组合。

10.一种制备用于拉制单晶的硅熔体的方法，包括：

向包括具有底壁和侧壁的玻璃状石英体的坩埚提供硅，所述侧壁从底壁向上延伸并限定用于容纳熔融硅材料的空腔，所述侧壁结构和所述底壁各自具有内表面和外表面，所述坩埚包括包含(a)选自钡的第一金属和(b)选自钽、钨、锗、锡或其两种或更多种的组合的第二金属的失透剂；以及

熔融坩埚内的硅以在与熔融硅接触的坩埚内表面上形成第一层大体上失透的二氧化硅。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述失透剂的第一金属与第二金属的比率为约1:1至约10:1。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述失透剂的第一金属与第二金属的比率为约2:1至约8:1。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述失透剂的第一金属与第二金属的比率为约5:2至约6:1。

14.如权利要求10-13任一项所述的方法，其中所述失透剂作为涂层设置在坩埚的表面的至少一部分上。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述涂层包含醇盐、氢氧化物、碳酸盐、溶胶-凝胶溶液或其两种或更多种的组合形式的第一金属，以及醇盐、酸、氧化物、氢氧化物、碳酸盐、溶胶-凝胶溶液或其两种或更多种的组合形式的第二金属。

16.如权利要求10-13任一项所述的方法，其中所述失透剂还包括卤化钡。

17.如权利要求10-13或16中任一项所述的方法，其中所述失透剂设置在硅熔体中。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述失透剂包括(a)氧化钡、钡金属、含钡的合金化合物，或其两种或更多种的组合，和(b)金属氧化物、金属化合物形式的第二金属、含第二金属的合金化合物，或其两种或更多种的组合。

19.如权利要求10所述的方法，其中所述失透剂设置在坩埚体中。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述失透剂包括(a)氧化钡，和(b)氧化钽、氧化钨、氧化锗、氧化锡或其两种或更多种的组合。