[发明专利]薄膜形成用原料及薄膜的制造方法

说明书

一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R¹是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R²～R⁵各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。

【技术领域】

本发明涉及一种含有特定的化合物而成的薄膜形成用原料及使用 该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。

【背景技术】

含有钛、锆或铪的薄膜材料被应用于半导体、太阳能电池 (photovoltaic cell)、TFT等的用途，其中主要使用作为半导体材 料用的高介电材料。

作为上述薄膜的制造法，可举例为溅镀法、离子镀敷法、涂布热 分解法或溶凝胶法等的MOD法、化学气相成长法等，但包含ALD (Atomic Layer Deposition)法的化学气相成长法(以下有时也简单 地记载为CVD)法，由于具有组成控制性、逐步包覆性优异，适于量产 化，且可以混合累积(hybrid accumulation)等的多种优点，故为最 适的制造过程。

作为化学气相成长法所使用的金属供给源，多数报告有各种原料。

例如在专利文献1中，公开了作为可使用于CVD法或ALD法的材 料而使用特定的锆配合物。另外，在专利文献2中，公开了作为可使 用于CVD法或ALD法的材料而使用特定的金属配合物。在专利文献1 及专利文献2中，未具体记载本发明的薄膜形成用原料。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]韩国专利10-1263454号

[专利文献2]韩国公开10-2014-0078534号

【发明内容】

[发明要解决的课题]

使化学气相成长用原料等气化而在基材表面形成含有金属的薄膜 时，为得到高品质的薄膜而必须在高温下进行成膜，故要求热稳定性 高的薄膜形成用原料。另外，可要求于宽高比(aspect ratio)为10～ 200左右的沟中可均匀地形成薄膜的薄膜形成用原料。

[用以解决课题的手段]

本发明人等重复讨论的结果，发现含有特定的化合物的薄膜形成 用原料可解决上述课题，因而完成本发明。

本发明提供一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的 化合物而成：

[化1]

(式中，R¹是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R²～R⁵各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子 数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪。但，M为锆时，A是碳原子 数3或4的烷二基)。

另外，本发明提供一种薄膜的制造方法，其将含有使上述薄膜形 成用原料气化而得到的通式(1)表示的化合物的蒸气，导入设置有基 体的成膜腔室内，使该化合物分解及/或使其进行化学反应而在该基体 的表面形成含有选自钛、锆及铪中至少1种的原子的薄膜。

[发明的效果]

依据本发明，可获得热稳定性高，于宽高比为10～200左右的沟 中可均匀地形成高品质的薄膜的薄膜形成用原料。本发明的薄膜形成 用原料适合作为利用CVD法的金属薄膜形成用的原料。本发明的薄膜 形成用原料可适用于ALD法，故特别适合作为达到上述效果的ALD法 用薄膜形成用原料。