[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法

权利要求书

1.一种石英玻璃坩埚，其为在基于切克劳斯基法进行的单晶硅的提拉中使用的石英玻璃坩埚，该石英玻璃坩埚的特征在于，具备：有底圆筒状的坩埚主体，由石英玻璃制成；以及第1含有结晶化促进剂的涂膜，通过所述单晶硅的提拉工序中的加热，以在所述坩埚主体的内表面的表层部形成由圆顶状或柱状晶粒的集合制成的内侧结晶层的方式形成于所述内表面。

2.根据权利要求1所述的石英玻璃坩埚，其中，

通过用X射线衍射法对形成有所述内侧结晶层的所述坩埚主体的所述内表面进行分析而得到的、衍射角度2θ为20～25°下的峰强度的最大值A与衍射角度2θ为33～40°下的峰强度的最大值B之比A/B为7以下。

3.根据权利要求1所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述内侧结晶层具有：圆顶状结晶层，由形成于所述坩埚主体的所述内表面的表层部的圆顶状晶粒的集合制成；以及柱状结晶层，由形成于所述圆顶状结晶层的正下方的柱状晶粒的集合制成。

4.根据权利要求3所述的石英玻璃坩埚，其中，

通过用X射线衍射法对形成有所述内侧结晶层的所述坩埚主体的所述内表面进行分析而得到的、衍射角度2θ为20～25°下的峰强度的最大值A与衍射角度2θ为33～40°下的峰强度的最大值B之比A/B小于0.4。

5.根据权利要求3或4所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述第1含有结晶化促进剂的涂膜中所含的结晶化促进剂为钡，所述坩埚主体的所述内表面中所述钡的浓度为3.9×10¹⁶个原子/cm²以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述坩埚主体的所述内表面中从边缘上端向下方具有一定宽度的区域为未形成所述第1含有结晶化促进剂的涂膜的未涂布结晶化促进剂的区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的石英玻璃坩埚，其还具备第2含有结晶化促进剂的涂膜，该第2含有结晶化促进剂的涂膜通过所述提拉工序中的加热，以在所述坩埚主体的外表面的表层部形成由圆顶状或柱状晶粒的集合制成的外侧结晶层的方式形成于所述外表面。

8.根据权利要求7所述的石英玻璃坩埚，其中，

通过用X射线衍射法对形成有所述外侧结晶层的所述坩埚主体的所述外表面进行分析而得到的、衍射角度2θ为20～25°下的峰强度的最大值A与衍射角度2θ为33～40°下的峰强度的最大值B之比A/B为0.4以上且7以下。

9.根据权利要求7或8所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述第2含有结晶化促进剂的涂膜中所含的结晶化促进剂为钡，所述坩埚主体的所述外表面中所述钡的浓度为4.9×10¹⁵个原子/cm²以上且小于3.9×10¹⁶个原子/cm²。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的石英玻璃坩埚，其中，

所述坩埚主体的所述外表面中从边缘上端向下方具有一定宽度的区域为未形成所述第1含有结晶化促进剂的涂膜的未涂布结晶化促进剂的区域。

11.一种石英玻璃坩埚，其为在基于切克劳斯基法进行的单晶硅的提拉中使用的石英玻璃坩埚，该石英玻璃坩埚的特征在于，具备：有底圆筒状的坩埚主体，由石英玻璃制成；以及含有结晶化促进剂的涂膜，通过所述单晶硅的提拉工序中的加热，以在所述坩埚主体的外表面的表层部形成由圆顶状或柱状晶粒的集合制成的外侧结晶层的方式形成于所述外表面。

12.根据权利要求11所述的石英玻璃坩埚，其中，

通过用X射线衍射法对形成有所述外侧结晶层的所述坩埚主体的所述外表面进行分析而得到的、衍射角度2θ为20～25°下的峰强度的最大值A与衍射角度2θ为33～40°下的峰强度的最大值B之比A/B为7以下。