[发明专利]监测存储器中执行的错误校正操作有效

专利信息
申请号: 201780029836.6 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN109154901B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: M·N·凯纳克;P·R·哈亚特;S·帕塔萨拉蒂 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 监测 存储器 执行 错误 校正 操作
【权利要求书】:

1.一种设备(334),其包括:

存储器(340-1、340-2、...、340-N);及

电路(338),其经配置以:

感测所述存储器的若干存储器单元(111-1、...、111-N)的数据状态以及与经感测的所述数据状态相关联的软数据;

针对经感测的所述数据状态及软数据执行错误校正操作;

如果所述错误校正操作成功,则基于所述错误校正操作期间校正的错误软数据的数量而确定与所述错误校正操作相关联的位错误率;

如果所述错误校正操作成功,则基于所述错误校正操作期间校正的所述错误软数据的质量而确定与所述错误校正操作相关联的高可靠性错误率;及

基于与所述错误校正操作相关联的所述位错误率和与所述错误校正操作相关联的所述高可靠性错误率而确定是否对经感测的所述数据采取校正动作。

2.根据权利要求1所述的设备(334),其中:

所述高可靠性错误率对应于在所述错误校正操作期间校正的是高可靠性错误的错误的数量;且

如果具有在所述错误校正操作期间校正的错误的所述软数据指示与所述存储器单元(111-1、...、111-N)相关联的阈值电压是远离用于感测所述存储器单元(111-1、...、111-N)的所述数据状态的电压的特定电压量,那么所述错误是高可靠性错误。

3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的设备(334),其中所述电路(338)经配置以执行感测操作以感测每一相应存储器单元(111-1、...、111-N)的所述数据状态及与每一相应存储器单元(111-1、...、111-N)的经感测的所述数据状态相关联的所述软数据。

4.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的设备(334),其中对经感测的所述数据状态的所述校正动作是经感测的所述数据状态到所述存储器(340-1、340-2、...、340-N)中的不同位置的重新定位。

5.一种设备(334),其包括:

存储器(340-1、340-2、...、340-N);及

电路(338),其经配置以:

确定与错误校正操作相关联的位错误率,对与所述存储器(340-1、340-2、...、340-N)的若干存储器单元(111-1、...、111-N)的经感测的数据状态相关联的软数据执行所述错误校正操作;

确定与对所述软数据执行的所述错误校正操作相关联的高可靠性错误率;及

基于与所述错误校正操作相关联的所述位错误率及与所述错误校正操作相关联的所述高可靠性错误率而确定是否对经感测的所述数据采取校正动作。

6.根据权利要求5所述的设备(334),其中所述电路(338)经配置以基于对应于所述位错误率及所述高可靠性错误率的数据点在二维位错误率对高可靠性错误率空间(450)中的位置而确定是否采取所述校正动作。

7.根据权利要求6所述的设备,其中:

所述二维位错误率对高可靠性错误率空间包含对应于对所述软数据执行的所述错误校正操作的校正限制的曲线;且

所述电路经配置以基于所述数据点在所述二维位错误率对高可靠性错误率空间中相对于所述曲线的位置而确定是否采取所述校正动作。

8.根据权利要求7所述的设备(334),其中:

所述二维位错误率对高可靠性错误率空间(450)包含若干额外曲线(454-1、454-2、454-3),其中每一相应额外曲线(454-1、454-2、454-3)对应于与对应于所述错误校正操作的所述校正限制的所述曲线(452)相关联的不同裕度量;且

所述电路(338)经配置以基于所述数据点在所述二维位错误率对高可靠性错误率空间(450)中相对于所述若干额外曲线(454-1、454-2、454-3)的位置而确定是否采取所述校正动作。

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