[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在共通的半导体基板(10)上形成有具有IGBT元件(1a)的IGBT区域(1)和具有FWD元件(2a)的FWD区域(2)，其中，

具备：

第1导电型的漂移层(11)；

第2导电型的基底层(12)，形成在上述漂移层上；

第1导电型的发射极区域(14)，是上述基底层的表层部，夹着上述基底层而与上述漂移层隔开间隔地形成，被设为比上述漂移层高的杂质浓度；

栅极绝缘膜(16)，配置在位于上述发射极区域与上述漂移层之间的上述基底层的表面；

栅极电极(17)，配置在上述栅极绝缘膜上；

第1导电型的场阻挡层(20)，配置在夹着上述漂移层而与上述基底层相反的一侧，被设为比上述漂移层高的杂质浓度；

第2导电型的集电极层(21)，配置在夹着上述场阻挡层而与上述漂移层相反的一侧；

第1导电型的阴极层(22)，配置在夹着上述场阻挡层而与上述漂移层相反的一侧，并且与上述集电极层邻接；

第1电极(19)，与上述基底层及上述发射极区域电连接；以及

第2电极(23)，与上述集电极层及上述阴极层电连接，

在上述阴极层上，在与上述集电极层分离的位置，形成有与上述第2电极电连接并且与上述场阻挡层构成PN结的第2导电型的载流子注入层(24)；

从在上述FWD元件中流过正向电流的状态起将该电流切断时，上述FWD元件内的第1载流子穿过位于上述载流子注入层上的上述场阻挡层向上述阴极层流动，从而从上述第2电极经由上述载流子注入层向上述漂移层注入第2载流子，

上述载流子注入层形成为，上述载流子注入层的宽度方向上的中心与上述阴极层的宽度方向上的中心一致。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述载流子注入层沿着上述半导体基板的平面方向上的一方向延伸设置，如果设上述场阻挡层的杂质浓度为Nfs[cm^－3]，设上述载流子注入层的与延伸设置方向正交的方向且是沿着上述半导体基板的平面方向的方向的长度为宽度W[μm]，则满足W6.8×10^－16×Nfs+20。