[发明专利]半导体安装用散热底板及其制造方法有效
申请号: | 201780029589.X | 申请日: | 2017-05-29 |
公开(公告)号: | CN109417059B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 田中启祐;大宅大介;石原三纪夫;磐浅辰哉;齐藤浩二;若林祐贵 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;B22C3/00;B22D19/00;B22D27/18;B22D27/20;H01L23/12;H05K1/02 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 安装 散热 底板 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体安装用散热底板,其特征在于,
所述半导体安装用散热底板具备:由陶瓷构成的绝缘基板,所述绝缘基板固定有安装半导体部件的由铝构成的金属电路层;以及由铝构成的散热基体,所述散热基体隔着所述绝缘基板而在所述金属电路层的相反侧固定于所述绝缘基板,
在所述散热基体及所述金属电路层的铸造时,使至少一种以上的晶粒细化材料附着于铸模的型腔侧表面的一部分,从而在所述散热基体或所述金属电路层的表面的至少一部分设有对晶体粒径进行了限制的晶体粒径限制区域,并且,
所述晶体粒径限制区域中的平均晶体粒径比所述金属电路层及所述散热基体的其他区域中的平均晶体粒径小。
2.根据权利要求1所述的半导体安装用散热底板,其特征在于,
所述半导体安装用散热底板具备设置于所述散热基体的紧固部,在至少包含所述紧固部的表面的所述散热基体的表面设有所述晶体粒径限制区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体安装用散热底板,其特征在于,
在所述金属电路层的表面设有所述晶体粒径限制区域。
4.根据权利要求1或2所述的半导体安装用散热底板,其特征在于,
在所述散热基体的散热面设有所述晶体粒径限制区域。
5.根据权利要求1或2所述的半导体安装用散热底板,其特征在于,
由纯度99~99.9%的铝构成所述金属电路层和所述散热基体,并且使所述晶体粒径限制区域中的平均晶体粒径为12mm以下。
6.根据权利要求1或2所述的半导体安装用散热底板,其特征在于,
使所述散热基体与所述金属电路层的表面高度一致。
7.一种半导体安装用散热底板的制造方法,其特征在于,
所述半导体安装用散热底板具备:由陶瓷构成的绝缘基板,所述绝缘基板将安装半导体部件的由铝构成的金属电路层通过铸造利用直接接合而固定;以及由铝构成的散热基体,所述散热基体隔着所述绝缘基板而在所述金属电路层的相反侧通过铸造利用直接接合而固定于所述绝缘基板,在制造所述半导体安装用散热底板时,在所述散热基体及所述金属电路层的铸造时,使至少一种以上的晶粒细化材料附着于铸模的型腔侧表面的一部分,从而在所述散热基体或所述金属电路层的表面的至少一部分形成对晶体粒径进行了限制的晶体粒径限制区域。
8.根据权利要求7所述的半导体安装用散热底板的制造方法,其特征在于,
在铸造时,使至少一种以上的晶粒细化材料附着于所述铸模的型腔侧表面的与至少包含设置于所述散热基体的紧固部的表面在内的所述散热基体的一部分相向的部分。
9.根据权利要求7或8所述的半导体安装用散热底板的制造方法,其特征在于,
在铸造时,使至少一种以上的晶粒细化材料附着于所述铸模的型腔侧表面的与所述金属电路层相向的部分。
10.根据权利要求7或8所述的半导体安装用散热底板的制造方法,其特征在于,
在铸造时,使至少一种以上的晶粒细化材料附着于所述铸模的型腔侧表面的与所述散热基体的散热面相向的部分。
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