[发明专利]于氮离子植入中改善离子源效能的氟化组合物

权利要求书

1.一种氮离子植入组合物，其用于在氮离子植入后进行在所述氮离子植入后时易于发生故障的另一离子植入操作时抵抗离子植入系统中的故障，所述氮离子植入组合物包含氮N₂掺杂剂气体和包含NF₃的故障抑制气体，其中所述离子植入系统经配置使得在氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作时，所述氮离子植入组合物抑制故障。

2.根据权利要求1所述的氮离子植入组合物，其中所述故障抑制气体是以所述氮离子植入组合物的5体积％到45体积％的量存在。

3.根据权利要求1所述的氮离子植入组合物，其中所述故障抑制气体是以2体积％到15体积％的量存在。

4.根据权利要求1所述的氮离子植入组合物，其中所述组合物中NF₃气体的量介于约2体积％到约8体积％的范围内。

5.根据权利要求1所述的氮离子植入组合物，其中所述组合物中NF₃气体的量为约5体积％。

6.一种用于向离子植入系统供应氮离子植入组合物的气体供应包装，其中所述气体供应包装包含气体储存和分配容器，所述气体储存和分配容器含有根据权利要求1所述的氮离子植入组合物。

7.一种供应用于氮离子植入的气体的方法，其包含：

将所述气体以包装形式递送到离子植入系统，所述包装形式包含以下各项中的至少一项：

(i)气体供应包装，其包含含有氮离子植入组合物的气体储存和分配容器，所述氮离子植入组合物包含氮N₂掺杂剂气体和包含NF₃的故障抑制气体；和

(ii)用于向离子植入系统供应氮离子植入组合物的气体供应试剂盒，其中所述气体供应试剂盒包含含有氮N₂掺杂剂气体的第一气体储存和分配容器，和含有包含NF₃的故障抑制气体的第二气体储存和分配容器；

利用所述氮N₂掺杂剂气体和所述故障抑制气体进行氮离子植入过程；和

在所述氮离子植入过程之后，利用易于引起故障的掺杂剂气体进行第二离子植入过程，进而抑制所述故障。