[发明专利]成膜装置

说明书

在一个实施方式的成膜装置中，旋转台与旋转轴连接。旋转台收容于基座的内部空间中。旋转台在相对于旋转轴的中心轴线沿周向排列的多个载置区域中保持被加工物，并且使该被加工物绕中心轴线旋转。在基座内从旋转台的外侧起形成沿着与中心轴线正交的一个方向的气体的流动。基座被加热机构加热。基座的与旋转台的下表面相面对的一个壁部包括由比中心轴线与多个载置区域的各个载置区域之间的最小距离大的第一圆和比中心轴线与多个载置区域的各个载置区域之间的最大距离小的第二圆规定出的中间区域，并且在该中间区域中形成有一个以上的贯通孔。

技术领域

本公开中的实施方式涉及一种成膜装置。

背景技术

近年来，在半导体功率器件这样的电子元件中使用碳化矽(SiC)。在这样的电子元件的制造中执行通过外延生长在SiC基板上形成SiC膜的处理。

在上述的处理中有时使用生产率相比于单片式的成膜装置优异的半批量式的成膜装置。关于半批量式的成膜装置，例如在下述的专利文献1和专利文献2中有所记载。

专利文献1和专利文献2所记载的成膜装置具备旋转轴、旋转台、基座、容器、气体供给机构以及感应加热机构。旋转台设置于旋转轴上，被该旋转轴支承。旋转台提供多个载置区域。多个载置区域为在其上载置多个被加工物的区域，并且相对于旋转轴的中心轴线沿周向排列。此外，多个被加工物如晶圆那样具有圆板形状。基座具有方筒形状，并且在其内部空间中收容旋转台。容器收容基座。气体供给机构构成为从旋转台的外侧起沿着与旋转轴正交的方向形成气体的流动。感应加热机构设置于容器的外侧，并且具有卷绕于该容器的外周的线圈。基座通过感应加热而被加热。

专利文献1：日本特开2008-159944号公报

专利文献2：日本特开2012-178613号公报

发明内容

发明要解决的问题

在SiC膜的外延生长中，以将p型或n型的杂质引入该SiC膜中的方式进行成膜。尤其在p型中，关于引入SiC膜中的杂质的浓度，在被加工物的面内的温度低的区域中浓度高，在温度高的区域中浓度低。因而，为了抑制杂质的浓度在面内中的偏差，需要减小成膜时的被加工物的面内的温度的偏差。然而，从使被加工物的温度的偏差减小的观点出发，期望上述的以往的半批量(semi-batch)式的成膜装置进一步被改良。

用于解决问题的方案

在一个方式中，提供一种半批量式的成膜装置。该成膜装置具备旋转轴、旋转台、基座、气体供给机构、容器以及加热机构。旋转台设置于旋转轴上，并且固定于旋转轴。旋转台构成为在相对于旋转轴的中心轴线沿周向排列的多个载置区域中保持多个被加工物。多个载置区域构成为相对于旋转轴的中心轴线沿周向排列并且保持多个被加工物。在一个实施方式中，被加工物具有圆盘形状，多个载置区域的各个载置区域能够具有与被加工物的形状对应的圆形形状。基座构成为：提供沿着与平行于中心轴线的第一方向正交的第二方向彼此相对的第一开口和第二开口，并且在该第一开口与该第二开口之间提供内部空间，将旋转台收容于内部空间中。气体供给机构构成为形成从第一开口经由内部空间朝向第二开口的气体的流动。容器收容基座。加热机构构成为设置于容器的周围，并且对基座进行加热。

在一个方式所涉及的成膜装置中，基座包括彼此相对的第一壁部和第二壁部。旋转台设置于第一壁部与第二壁部之间。第一壁部与多个载置区域相面对。在第二壁部形成有供旋转轴通过的第一贯通孔。第二壁部包括由相对于中心轴线具有第一半径的第一圆和相对于中心轴线具有比第一半径大的第二半径的第二圆规定出的中间区域。第一半径比中心轴线与多个载置区域的各个载置区域之间的最小距离大，第二半径比中心轴线与多个载置区域的各个载置区域之间的最大距离小。在中间区域形成有一个以上的第二贯通孔。