[发明专利]覆盖有硅化合物的金属微粒在审
申请号: | 201780027389.0 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN109071256A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 榎村真一;本田大介 | 申请(专利权)人: | M技术株式会社 |
主分类号: | C01G9/02 | 分类号: | C01G9/02;C01B13/14;C01G49/06;C09C1/24;C09C3/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅化合物 金属微粒 覆盖 半金属元素 金属元素 目标特性 分散性 | ||
1.覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si-OH键的比率被控制在0.1%以上70%以下。
2.覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si-OH键相对于Si-O键的比率,即Si-OH键/Si-O键的比率被控制在0.001以上700以下。
3.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si-OH键的比率或Si-OH键/Si-O键的比率是通过官能团的变更处理来控制的。
4.权利要求1至3任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述官能团的变更处理为选自取代反应、加成反应、消去反应、脱水反应、缩合反应、还原反应、氧化反应中的至少1种。
5.权利要求1至4任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒是1个金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述金属微粒的一次粒径为1μm以下,而且,上述覆盖有硅化合物的金属微粒的一次粒径为上述金属微粒的一次粒径的100.5%以上190%以下。
6.权利要求5所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒是作为核的1个金属微粒的整个表面被作为壳的硅化合物覆盖而成的核壳型覆盖有硅化合物的金属微粒。
7.权利要求1至6任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒是多个金属微粒凝集而成的凝集体的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述凝集体的直径为1μm以下,而且,上述覆盖有硅化合物的金属微粒的粒径为上述凝集体的直径的100.5%以上190%以下。
8.权利要求1至7任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述金属元素或半金属元素含有选自银、铜和镍中的至少1种。
9.权利要求1至8任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述Si-OH键的比率或上述Si-OH键/Si-O键的比率是通过波形分离使用全反射法(ATR法)测定的上述覆盖有硅化合物的金属微粒的红外吸收光谱中的波数750cm-1至1300cm-1区域的峰而得到的。
10.权利要求1至9任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述Si-OH键是通过波形分离使用全反射法(ATR法)测定的上述覆盖有硅化合物的金属微粒的红外吸收光谱中的波数750cm-1至1300cm-1区域的峰而得到的、在波数850cm-1至980cm-1的区域波形分离的来自Si-OH键的峰内归属于面积比率最大的峰的峰,上述Si-OH键的比率是归属于上述Si-OH键的峰的面积相对于通过波形分离上述波数750cm-1至1300cm-1区域的峰而得到的峰的总面积的比率。
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