[发明专利]用于确定图案化工艺的参数的方法和设备有效
| 申请号: | 201780027341.X | 申请日: | 2017-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN109073999B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
| 发明(设计)人: | A·J·范李斯特;A·特斯阿特马斯;P·C·欣南;E·G·麦克纳马拉;A·弗玛;T·希尤维斯;H·A·J·克拉默;M·I·德拉富恩特瓦伦丁;K·范维特文;M·M·扎尔;王淑錦 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 确定 图案 化工 参数 方法 设备 | ||
1.一种量测目标,包括:
第一结构,被布置为由第一图案化工艺创建;和
第二结构,被布置为由第二图案化工艺创建,其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面,
其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例,所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性,并且其中所述单位单元具有特征,所述特征由于所述第一图案化工艺、所述第二图案化工艺和/或另一图案化工艺中的图案放置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性,
其中所述第一结构包括闭合曲线结构,并且所述第二结构包括闭合曲线结构,并且所述第一结构相对于所述第二结构交错布置。
2.根据权利要求1所述的量测目标,其中,所述第一结构包括第一尺寸和/或材料的结构,并且所述第二结构包括第二尺寸或材料的结构,其中所述特征包括:所述第一尺寸和/或材料不同于所述第二尺寸和/或材料。
3.根据权利要求1或2所述的量测目标,其中,所述第一结构包括沿着第一方向以阵列布置的结构,并且至少一个这样的结构包括由沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向布置的空隙所分开的多个子结构,以及/或者所述第二结构包括沿着第一方向以阵列布置的结构,并且至少一个这样的结构包括由沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向布置的空隙所分开的多个子结构,其中所述特征包括:所述第一结构和/或所述第二结构的所述空隙。
4.根据权利要求3所述的量测目标,其中,使用与所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺不同的图案化工艺来产生所述第一结构和/或所述第二结构的所述空隙。
5.根据权利要求4所述的量测目标,其中,所述第一结构包括所述空隙,并且所述第二结构包括所述空隙。
6.根据权利要求5所述的量测目标,其中,所述第一结构的空隙具有与所述第二结构的空隙不同的节距。
7.根据权利要求6所述的量测目标,其中,在所述标称物理配置下,所述第一结构的至少一个空隙与所述第二结构的至少一个空隙对齐。
8.根据权利要求1、2、4-7中任一项所述的量测目标,其中,所述第一结构和所述第二结构在一方向上被布置在第一阵列中,所述方向基本垂直于所述结构被布置在第二阵列中的方向或者所述结构被布置在结构的第三阵列中的方向。
9.一种存储器器件,包括其上记录有数据结构的计算机非瞬态可读介质,所述数据结构对应于根据权利要求1-8中任一项所述的量测目标。
10.一种掩模版,包括与根据权利要求1-8中任一项所述的量测目标相对应的图案。
11.一种用于确定图案化工艺参数的方法,包括:
创建用于量测目标的第一结构,所述第一结构由创建器件的对应器件特征的第一图案化工艺创建;
创建用于所述量测目标的第二结构,所述第二结构由创建器件的另一对应器件特征的第二图案化工艺创建,其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例,所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性;以及
在所述量测目标中引入特征,所述特征由于所述器件中的器件特征的位置与所述器件中的器件特征的预期位置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性,
其中所述第一结构包括闭合曲线结构,并且所述第二结构包括闭合曲线结构,并且所述第一结构相对于所述第二结构交错布置。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第一结构的特征具有与所述器件的对应特征基本相同的尺寸和/或节距,以及/或者所述第二结构的特征具有与所述器件的对应特征基本相同的尺寸和/或节距。
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