[发明专利]用于确定图案化工艺的参数的方法和设备

权利要求书

1.一种确定图案化工艺的套刻的方法，所述方法包括：

获得检测到的由单位单元的一个或多个物理实例重定向的辐射的表示，其中所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性，并且其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述单位单元的所述一个或多个物理实例填充来获得检测到的辐射的表示；以及

由硬件计算机系统并且根据来自所述检测到的辐射的表示的光学特性值、与针对所述单位单元的第二套刻相分离地确定针对所述单位单元的第一套刻的值，所述第二套刻的值也从相同的光学特性值可获得，其中所述第一套刻处于与所述第二套刻不同的方向上，或者在与所述第二套刻不同的、所述单位单元的各部分的组合之间；

其中与来自对套刻具有较低灵敏度的检测到的辐射的像素的光学特性值相比，来自对套刻具有较高灵敏度的所述检测到的辐射的表示的其他像素的光学特性值，对于确定所述第一套刻的值提供更大的贡献。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一套刻和所述第二套刻用于不同的方向并且用于所述单位单元的相同的第一部分和第二部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一套刻位于与所述第二套刻不同的、所述单位单元的各部分的组合之间。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括：根据与所述第一套刻的值相同的光学特性值确定所述第二套刻的值。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，确定所述第一套刻的值是使用针对像素光学特性值的权重的集合。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，使用针对所述检测到的辐射的表示的多个像素的光学特性值的求和来确定所述第一套刻的值，其中针对每个像素的光学特性值被乘以针对该像素的相关联的加权。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述第一套刻在与第二套刻不同的、非平行的方向上。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述检测到的辐射主要是零阶辐射。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述检测到的辐射的表示是光瞳表示。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，处理所述检测到的辐射的表示以减去跨越对称轴的光学特性值，以便减少或消除所述检测到的辐射的表示中的对称光学特性分布的光学特性值。

11.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述光学特性是强度和/或相位。

12.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述单位单元是器件结构。

13.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述单位单元是包括器件结构的衬底裸片内的非器件结构。

14.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在用以产生所述单位单元的蚀刻工艺之后检测所述检测到的辐射的表示。