[发明专利]供电控制装置

权利要求书

1.一种供电控制装置，配置于供电路径中的蓄电池与负载之间，具备在栅极的电压为阈值以上的情况下接通的半导体开关，其中，

所述供电控制装置具备：

第2半导体开关，配置于所述供电路径的中途的所述半导体开关的上游侧，在栅极的电压为第2阈值以上的情况下接通；

第一寄生电容(Cd1)，连接在所述半导体开关的漏极和栅极之间；

第二寄生电容(Cs1)，连接在所述半导体开关的源极和栅极之间；

第三寄生电容(Cd2)，连接在所述第2半导体开关的漏极和栅极之间；

第四寄生电容(Cs2)，连接在所述第2半导体开关的源极和栅极之间；

电阻，连接在所述供电路径的电流输入侧的一端和该第2半导体开关的栅极之间；

二极管，正极与所述半导体开关的栅极连接，负极与所述第2半导体开关的栅极连接；

电压输出部，输出电压；

开关(21)，连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的栅极之间；以及

电容器(C1)，连接在所述供电路径的电流输入侧的一端与所述半导体开关的源极之间，

在从所述电压输出部所输出的输出电压减去所述半导体开关的栅极的电压而得到的差电压为规定电压以上的情况下，所述开关接通，在该差电压低于所述规定电压的情况下，所述开关断开，

在所述半导体开关及所述第2半导体开关从断开切换成接通的期间中的除去所述电压输出部对所述第二寄生电容(Cs1)进行充电的期间以外的其他期间内，所述半导体开关的栅极电压以及所述第2半导体开关的栅极的电压分别以与所述开关的基极的电压即基极电压(Vb)的上升速度相同的速度上升，

在所述半导体开关从断开切换成接通的期间中，所述蓄电池以及所述电容器(C1)分别构成为能够使所述半导体开关的栅极电压以及所述第2半导体开关的栅极的电压以比所述基极电压(Vb)的上升速度快的速度上升。

2.根据权利要求1所述的供电控制装置，其中，

所述供电控制装置具备连接在所述电压输出部输出电压的输出端和所述半导体开关的所述栅极之间的电阻。

3.根据权利要求1或2所述的供电控制装置，其中，

所述供电控制装置具备连接在所述供电路径的所述一端与所述半导体开关的电流输出端之间的电容器。

4.根据权利要求1或2所述的供电控制装置，其中，

在以所述供电路径的另一端的电位为基准而将负的电压施加到该供电路径的所述一端的情况下，所述第2半导体开关切换成断开。

5.根据权利要求3所述的供电控制装置，其中，

在以所述供电路径的另一端的电位为基准而将负的电压施加到该供电路径的所述一端的情况下，所述第2半导体开关切换成断开。