[发明专利]保护性金属氟氧化物涂层有效
申请号: | 201780027015.9 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN109075084B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
发明(设计)人: | D·芬威克;C·李;J·Y·孙;Y·陈 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护性 金属 氧化物 涂层 | ||
1.一种薄膜,包含:
金属氟氧化物,具有实验式MxOyFz,其中M是金属,y具有的值为x的值的0.1至1.9倍,及z具有的值为x的所述值的0.1至3.9倍,所述金属为其金属氟化物相对于对应的MO有着体积增加的一种金属;
其中所述薄膜具有1至30微米的厚度与小于0.1%的孔隙度。
2.如权利要求1所述的薄膜,其中所述金属包含钇、钆、铝、铈、镝、锆、钙、镁、铒、镧、钕、镱、或锶中的至少一者。
3.如权利要求1所述的薄膜,其中所述薄膜涂布腔室部件的至少一表面,所述腔室部件用于半导体处理设备。
4.如权利要求1所述的薄膜,其中所述金属具有的原子价为2,且所述金属氟氧化物包含约37–48原子%的所述金属、约10–43原子%的氧及约10–53原子%的氟。
5.如权利要求1所述的薄膜,其中所述金属具有的原子价为3,且所述金属氟氧化物包含约27–38原子%的所述金属、约10–52原子%的氧及约10–63原子%的氟。
6.如权利要求1所述的薄膜,其中所述金属具有的原子价为4,且所述金属氟氧化物包含约22–32原子%的所述金属、约10–58原子%的氧及约10–68原子%的氟。
7.一种用于形成涂层的方法,包含以下步骤:
提供金属氟氧化物源材料,所述金属氟氧化物源材料具有实验式MxOy_源Fz_源,其中y_源具有的值为x的值的0.1至1.9倍,及z_源具有的值为x的所述值的0.1至3.9倍;及
执行所述金属氟氧化物源材料的溅射沉积或蒸镀沉积中的一者,以在物件上形成金属氟氧化物涂层,所述金属氟氧化物涂层具有实验式MxOy_涂层Fz_涂层,其中y_涂层具有的值为x的所述值的0.1至1.9倍,及z_涂层具有的值为x的所述值的0.1至3.9倍,其中M是金属并且所述金属为其金属氟化物相对于对应的MO有着体积增加的一种金属,及其中所述金属氟氧化物涂层具有1至30微米的厚度与小于0.1%的孔隙度。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述金属包含钇、钆、铝、铈、镝、锆、钙、镁、铒、镧、钕、镱、或锶中的至少一者。
9.如权利要求7所述的方法,其中所述物件包含半导体处理腔室部件。
10.如权利要求7所述的方法,进一步包含以下步骤:加热所述物件至摄氏15至150度。
11.如权利要求7所述的方法,其中所述溅射沉积或所述蒸镀沉积在具有0.1至100mTorr压力的腔室中执行。
12.一种用于形成涂层的方法,包含以下步骤:
提供包含金属的源材料;及
执行所述源材料的溅射沉积或蒸镀沉积中的一者,以在物件上形成金属氟氧化物涂层,包含:
在所述溅射沉积或所述蒸镀沉积期间将氧的离子或自由基或者氟的离子或自由基的至少一者引入所溅射或蒸镀的源材料,其中形成在所述物件上的所述金属氟氧化物涂层具有实验式MxOy_涂层Fz_涂层,其中y_涂层具有的值为x的值的0.1至1.9倍,及z_涂层具有的值为x的所述值的0.1至3.9倍,其中M是金属并且所述金属为其金属氟化物相对于对应的MO有着体积增加的一种金属;
其中所述涂层具有1至30微米的厚度与小于0.1%的孔隙度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造