[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

多个沟槽，其从第一导电型的半导体基板的正面起算到达预定的深度，且沿与所述半导体基板的正面平行的第一方向配置为条纹状的布局；

栅电极，其隔着栅绝缘膜设置在所述沟槽的内部；

所述栅电极中对元件的控制起作用的第一栅电极；

所述栅电极中除所述第一栅电极以外的第二栅电极；

所述沟槽中设置了所述第一栅电极的第一沟槽；

所述沟槽中设置了所述第二栅电极的第二沟槽；

台面区，其夹在相邻的所述沟槽间；

第二导电型的第一半导体区，其以从所述半导体基板的正面起算比所述沟槽浅的深度设置在作为所述台面区中的一部分的第一台面区的整个面；

第二导电型的第二半导体区，其以从所述半导体基板的正面起算比所述沟槽浅的深度，且沿所述第一方向以预定的间隔设置在所述台面区中的除所述第一台面区以外的第二台面区；

第一导电型的第三半导体区，其沿所述第一方向以预定的间隔设置在所述第一半导体区的内部并露出于所述第一半导体区的表面；

第二导电型的第四半导体区，其设置在所述半导体基板的背面；

第一电极，其与所述第一半导体区、所述第二半导体区、所述第三半导体区和所述第二栅电极电连接；以及

第二电极，其与所述第四半导体区电连接，

所述第一台面区的两侧的所述沟槽中的至少一方为所述第一沟槽，

所述第二台面区的两侧的所述沟槽中的至少一方为所述第二沟槽。

2.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

在与所述第一方向正交的第二方向上，所述第二台面区彼此隔着所述第一沟槽相邻。

3.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

在与所述第一方向正交的第二方向上，所述第二台面区彼此隔着所述第二沟槽相邻。

4.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

所述第一台面区夹在相邻的所述第一沟槽间。

5.如权利要求3所记载的半导体装置，其特征在于，

所述第一台面区夹在相邻的所述第一沟槽间。

6.如权利要求1至5任一项所记载的半导体装置，其特征在于，还具备：

第一导电型的第五半导体区，其在从所述半导体基板的正面起算比所述第一半导体区深的位置，在所述第一台面区的整个面与所述第一半导体区接触地设置，所述第五半导体区的杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度高。

7.如权利要求6所记载的半导体装置，其特征在于，

所述第五半导体区进一步在从所述半导体基板的正面起算比所述第二半导体区深的位置，在所述第二台面区的整个面与所述第二半导体区接触地设置。

8.如权利要求6所记载的半导体装置，其特征在于，

所述第五半导体区进一步在从所述半导体基板的正面起算比所述第二半导体区深的位置，在沿深度方向与所述第二半导体区对置的部分与所述第二半导体区接触地设置。

9.如权利要求1至5任一项所记载的半导体装置，其特征在于，

所述第三半导体区还设置在所述第二半导体区的内部并露出于所述第二半导体区的表面，

所述第二台面区的两侧的所述沟槽中的一方为所述第一沟槽，另一方为所述第二沟槽。