[发明专利]用于数据高速缓存的方法和设备

说明书

本申请案涉及于数据高速缓存。描述用于操作存储器装置的方法、系统及装置。一种方法包含：在执行存储器单元的第一读取后即刻将所述存储器单元的数据高速缓存于行缓冲器的感测放大器处；确定在执行所述存储器单元的所述第一读取之后执行所述存储器单元的至少第二读取；及针对所述存储器单元的至少所述第二读取从所述感测放大器读取所述存储器单元的所述数据。

交叉参考

本专利申请案主张于2017年4月25日提出申请的标题为“数据高速缓存(DataCaching)”的第PCT/US2017/029420号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张Kajigaya于2016年4月27日提出申请的标题为“数据高速缓存(Data Caching)”的第15/140,073号美国专利申请案的优先权，所述PCT申请案及所述美国专利申请案中之每一者指派给其受让人且以全文引用方式清楚地并入本文中。

技术领域

技术领域涉及数据高速缓存。

背景技术

下文一般来说涉及存储器装置，且更具体来说涉及数据高速缓存。

存储器装置广泛地用于将信息存储于例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两种状态。为存取所存储信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电子装置可将状态写入或编程于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、FeRAM、相变RAM(PCRAM)、自旋转矩RAM(STT-RAM)、电阻式RAM(ReRAM)、磁性RAM(MRAM)、快闪存储器及其它存储器装置。存储器装置可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，快闪存储器)可甚至在不存在外部电源的情况下存储数据达延长时间周期。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随着时间而失去其所存储状态，除非其由外部电源周期性地刷新。二进制存储器装置可(举例来说)包含经充电或经放电电容器。经充电电容器可随着时间而通过泄漏电流被放电，从而导致所存储信息的失去。易失性存储器的特定实施例可提供性能优点，例如较快读取或写入速度，同时非易失性存储器的方面(例如在不具有周期性刷新的情况下存储数据的能力)也可为有利的。

在一些情形中，FeRAM可以与DRAM的速度及非易失性性质类似的速度及非易失性性质来操作。然而，在这些情形中，在FeRAM的存储器单元中使用的铁电电容器可由于铁电电容器内的铁电材料的重复极化及反转而感到疲劳，从而导致剩余极化减少。而且，当在相同极化方向上连续地实施写入操作时，存储器单元的磁滞特性的移位(称为“印迹(in-print)”)可导致存储器单元的重写特性的后续降级。与DRAM相比较，FeRAM可因此在其寿命期间支持较少读出及写入操作。

发明内容

描述一种操作存储器装置的方法。在一些实例中，所述方法可包含：在执行存储器单元的第一读取之后即刻将所述存储器单元的数据高速缓存于行缓冲器的感测放大器处；确定在执行所述存储器单元的所述第一读取之后执行所述存储器单元的至少第二读取；及针对所述存储器单元的至少所述第二读取从所述感测放大器读取所述存储器单元的所述数据。

在一些实例中，所述存储器单元包括铁电存储器单元。在一些实例中，所述铁电存储器单元经配置而以破坏性读取模式来操作。在一些实例中，所述方法可包含：在将所述存储器单元的所述数据高速缓存于所述感测放大器处之后将所述存储器单元的所述数据回写到所述存储器单元。在一些实例中，所述方法可包含：在将所述存储器单元的所述数据高速缓存于所述感测放大器处之前闭合隔离栅极，以将所述存储器单元所耦合到的位线耦合到所述感测放大器；及在将所述存储器单元的所述数据回写到所述存储器单元之后断开所述隔离栅极，以将所述位线与所述感测放大器解耦。