[发明专利]非热等离子体发射器和用于控制的设备

权利要求书

1.一种非热等离子体设备，包括：

基板，由电介质材料制成并具有顶部表面和底部表面；

多个驱动电极，处于所述基板的顶部表面上；

多个接地电极，处于所述基板的底部表面上，其中每个接地电极包括尖点；以及

在所述基板中的多个通孔，所述驱动电极中的每一个在通孔中的一个之上居中并且电容性地耦合到所述接地电极中的一个，以在所述驱动电极与所述接地电极之间形成等离子体发射器的阵列；

所述阵列具有第一电容，所述设备进一步包括：外壳，其包括用户界面、一个或多个输入端和一个或多个输出端；电源；以及将所述外壳的输出端连接到所述阵列的电缆，所述电缆具有第二电容；

所述电源包括：控制器、具有初级绕组和次级绕组的升压变压器、以及平衡驱动器，其中所述第一电容和所述第二电容的总和是组合电容，并且所述电源在所述组合电容的谐振频率下操作。

2.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

连接到每个驱动电极的导电驱动轨迹；

连接到每个接地电极的导电接地轨迹；

连接到所述驱动轨迹的驱动端子和连接到所述接地轨迹的接地端子；以及

连接到所述驱动端子的电压源。

3.如权利要求1所述的设备，进一步包括：由PTFE制成的护套，其覆盖所述等离子体发射器的阵列的至少一部分。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述设备进一步包括：

存储器，用于存储用于操作所述阵列的一个或多个参数。

5.如权利要求4所述的设备，进一步包括：识别特征，其准许所述电源仅操作授权阵列。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述控制器测量所述初级绕组上的第一电压，并且将所述第一电压与所述次级绕组上的第二电压进行比较来确定所述谐振频率。

7.如权利要求4所述的设备，其中所述存储器经由所述输入端之一是可编程的。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述基板是柔性的。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述多个接地电极中的每一个在所述多个通孔中的一个下方居中。

10.如权利要求1所述的设备，其中所述等离子体发射器按行对齐，其与先前的行偏移。

11.如权利要求1所述的设备，其中所述接地电极中的每一个还包括多个尖点。