[发明专利]磁共振辐射屏蔽和被屏蔽的主磁体

权利要求书

1.一种辐射屏蔽(204)，特别是用于屏蔽磁共振成像系统(110)的主线圈(202)，其中，

所述辐射屏蔽(204)包括用于容纳至少一个主线圈(202)的腔体(214)，其中，所述腔体(214)被形成于基本上彼此同心地布置的内圆柱壁(206)、外圆柱壁(208)以及将所述内圆柱壁(206)和所述外圆柱壁(208)互连的两个环形底壁(212)之间，其中，

所述内圆柱形壁(206)、所述外圆柱形壁(208)和所述两个环形底壁(212)中的至少一个至少部分地被提供有外层(218)和面向所述腔体(214)的内层(216)，其中，

所述内层(216)是包括碳纤维增强塑料的层，并且所述外层(218)是包括顺磁性或抗磁性的金属。

2.根据权利要求1所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述内层(216)的所述碳纤维增强塑料的纤维共同在一个方向上对齐。

3.根据前述权利要求1或2中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述内圆柱形壁(206)和所述外圆柱形壁(208)中的至少一个至少部分地被提供有外层(218)和面向所述腔体(214)的内层(216)，并且

所述内层(216)的所述碳纤维增强塑料的所述纤维共同在相应的内圆柱壁(206)和所述外圆柱壁(208)的轴向方向(210)上对齐。

4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述外层(218)被提供为所述内层(216)上的涂层。

5.根据权利要求4所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述外层(218)是溅射在所述内层(216)上的层。

6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述外层(218)是由铝或包括铝的合金制成的层。

7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述外层(218)是具有小于1mm的厚度的层，优选地是具有小于100μm的厚度的层，更优选地是具有小于20μm的厚度的层。

8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述内层(216)是具有小于10mm的厚度的层，优选地是具有小于5mm厚度的层，更优选地是具有小于3mm厚度的层。

9.根据前述权利要求1至8中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述外层(218)被提供有狭缝(220、222、224)以防止涡电流。

10.根据权利要求9所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述内圆柱形壁(206)和所述外圆柱形壁(208)中的至少一个的所述外层(218)被提供有沿着所述辐射屏蔽(204)的纵向轴线(210)延伸的轴向狭缝(220)。

11.根据前述权利要求9或10中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述内圆柱形壁(206)、所述外圆柱形壁(208)和所述两个环形底壁(212)中的至少一个的所述外层(218)被提供有环形狭缝(222)，所述环形狭缝在所述辐射屏蔽(204)的圆周方向上延伸。

12.根据前述权利要求9至11中的任一项所述的辐射屏蔽(204)，其中，

所述环形底壁(212)中的至少一个的所述外层(218)被提供有关于相应的环形底壁(212)的中心的径向狭缝(224)。