[发明专利]RF返回条带屏蔽盖罩

权利要求书

1.一种用于处理腔室的基板支撑组件，包括：

支撑板，具有被构造为支撑基板的上表面；

杆，耦接到所述支撑板的底表面；

多个RF返回条带，耦接到所述支撑板，所述多个RF返回条带在所述支撑板的所述底表面下方延伸；

多个屏蔽盖罩，耦接到所述支撑板，其中所述多个屏蔽盖罩覆盖最靠近所述支撑板的周边的所述多个RF返回条带中的至少一个的侧面的至少一部分，其中所述多个屏蔽盖罩的至少一个屏蔽盖罩沿着所述支撑板的邻近所述处理腔室的腔室主体的侧壁中的狭缝阀开口的短边定位。

2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述多个屏蔽盖罩的每个是具有竖直的取向的平坦的板。

3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述多个屏蔽盖罩是围绕所述支撑板的外缘连续的。

4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述多个屏蔽盖罩的每个由介电材料形成。

5.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述多个屏蔽盖罩包括：

至少一个屏蔽盖罩，覆盖所述RF返回条带中的至少两个。

6.一种处理腔室，包括：

腔室主体，包括盖、侧壁和底壁，它们限定所述腔室主体中的处理区域；和

基板支撑组件，设置在所述处理区域中，所述基板支撑组件包括：

支撑板，具有被构造为支撑基板的上表面；

杆，耦接到所述支撑板的底表面；

多个RF返回条带，耦接到所述支撑板，所述多个RF返回条带在所述支撑板的所述底表面下方延伸；和

至少一个屏蔽盖罩，耦接到所述支撑板，其中所述至少一个屏蔽盖罩覆盖最靠近所述支撑板的周边的所述多个RF返回条带中的至少一个的侧面的至少一部分，并且其中所述至少一个屏蔽盖罩沿着所述支撑板的邻近所述侧壁中的狭缝阀开口的短边定位。

7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述至少一个屏蔽盖罩水平地取向，并且所述RF返回条带竖直地取向。

8.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述至少一个屏蔽盖罩包括：

多个屏蔽盖罩，每个屏蔽盖罩覆盖所述多个RF返回条带中的至少一个。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述多个屏蔽盖罩定位在所述支撑板的相对侧上。

10.如权利要求8所述的处理腔室，其中所述多个屏蔽盖罩是围绕所述支撑板的外缘连续的。

11.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述至少一个屏蔽盖罩由介电材料形成。

12.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述至少一个屏蔽盖罩包括单个屏蔽盖罩，所述单个屏蔽盖罩定位在所述侧壁与至少两个RF返回条带之间。

13.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述至少一个屏蔽盖罩具有长度，使得当所述基板支撑组件处于降低位置时，所述至少一个屏蔽盖罩不接触所述处理腔室的所述底壁。

14.一种处理基板的方法，包括：

在处理腔室内产生等离子体，其中用于产生所述等离子体的RF电流行进通过耦接基板支撑组件和所述处理腔室的主体的RF返回条带，所述基板支撑组件包括支撑板，所述基板支撑组件具有设置在腔室主体与所述RF返回条带的一部分之间的屏蔽盖罩，其中所述腔室主体包括盖、侧壁和底壁，它们限定所述腔室主体中的处理区域；和

在所述基板暴露于所述等离子体下的同时在设置在所述基板支撑组件上的所述基板上沉积一层材料，其中所述屏蔽盖罩沿着所述支撑板的邻近所述侧壁中的狭缝阀开口的短边定位。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述屏蔽盖罩由陶瓷材料形成。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述屏蔽盖罩定位在所述基板支撑组件的底表面上，在所述处理腔室的所述主体与所述RF返回条带之间。