[发明专利]半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试电路，其特征在于，进行将IGBT部和FWD部单芯片化而得的RC-IGBT芯片的特性测试，所述半导体测试电路具备：

电源；

半导体的第一开关元件，其与所述RC-IGBT芯片的集电极连接；

第一线圈，其连接到所述电源的正极端子与所述第一开关元件之间；

第一二极管，其在所述电源的正极端子与所述第一线圈的连接部连接阴极；

缓冲电路，其连接到所述RC-IGBT芯片的集电极与发射极之间；

第二线圈，其连接到所述RC-IGBT芯片的集电极与发射极之间；

第一继电器，其与所述第一线圈并联连接；

第二继电器，其连接到所述RC-IGBT芯片的集电极与所述缓冲电路之间；

第三继电器，其连接到所述RC-IGBT芯片的集电极与所述第二线圈之间；以及

第四继电器，其与所述第一二极管串联连接并与所述第一二极管一起与所述第一线圈并联连接。

2.根据权利要求1所述的半导体测试电路，其特征在于，所述半导体测试电路还具备第五继电器和电容器的串联电路，所述第五继电器和电容器的串联电路与所述第一线圈和所述第一开关元件的连接点以及所述RC-IGBT芯片的发射极连接。

3.根据权利要求2所述的半导体测试电路，其特征在于，所述第一继电器至第五继电器为半导体的开关元件。

4.根据权利要求2所述的半导体测试电路，其特征在于，所述半导体测试电路还具备第二开关元件和转流电路，所述第二开关元件连接到所述RC-IGBT芯片的发射极与所述第二线圈之间，所述转流电路与所述第二线圈并联连接。

5.根据权利要求4所述的半导体测试电路，其特征在于，所述转流电路是第三开关元件与第二二极管的串联电路，所述第二二极管以所述RC-IGBT芯片的集电极的一侧为阴极。

6.根据权利要求4所述的半导体测试电路，其特征在于，在所述RC-IGBT芯片的发射极与所述第二开关元件之间还具备第六继电器。

7.根据权利要求1所述的半导体测试电路，其特征在于，所述第一继电器在所述IGBT部的短路测试和所述FWD部的恢复测试时接通，所述第二继电器在所述IGBT部的接通/关断测试和雪崩测试时接通，所述第三继电器在所述FWD部的恢复测试时接通，所述第四继电器在所述IGBT部的接通/关断测试时接通。

8.根据权利要求6所述的半导体测试电路，其特征在于，所述第五继电器和所述第六继电器在所述FWD部的恢复测试时接通。

9.根据权利要求1所述的半导体测试电路，其特征在于，所述半导体测试电路还具备电流计和电压计，所述电流计检测所述RC-IGBT芯片的所述IGBT部的集电极电流和所述FWD部的正向电流，所述电压计检测所述RC-IGBT芯片的集电极与发射极之间的电压。