[发明专利]二氧化硅系复合微粒分散液及其制造方法

权利要求书

1.一种二氧化硅系复合微粒分散液，其含有平均粒径50～350nm的二氧化硅系复合微粒，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述[1]～[3]的特征，

[1]所述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316，

[2]所述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相，

[3]所述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的所述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10～25nm。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其还具备下述[4]的特征，

[4]所述二氧化硅系复合微粒的、利用图像解析法测定得到的短径/长径比为0.8以下的颗粒的个数比率为35％以下。

3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其还具备下述[5]的特征，

[5]所述二氧化硅系复合微粒在所述子颗粒的表面具有二氧化硅覆膜。

4.根据权利要求1或2所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其还具备下述[6]的特征，

[6]在作为所述子颗粒的主要成分的结晶性二氧化铈中固溶有硅原子。

5.根据权利要求4所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其中，对于所述子颗粒中含有的铈原子和硅原子，将邻接的铈-硅原子之间距离设为R₁、邻接的铈-铈原子之间距离设为R₂时，满足R₁<R₂的关系。

6.根据权利要求3所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其特征在于，对于所述二氧化硅系复合微粒，通过将电子束选择性地照射于可使用透射式电子显微镜进行观察的所述二氧化硅覆膜的部分的EDS测定求出的、Si原子数％与Ce原子数％之比即Si原子数％/Ce原子数％为0.9以上。

7.根据权利要求1或2所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其特征在于，所述二氧化硅系复合微粒中含有的杂质的含有比率如以下的(a)和(b)所述，

(a)Na、Ag、Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Ni、Ti、Zn和Zr的含有率分别为100ppm以下，

(b)U、Th、Cl、NO₃、SO₄和F的含有率分别为5ppm以下。

8.根据权利要求1或2所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其特征在于，pH值处于3～8的范围内时的滴定前的流动电位为负的电位。

9.根据权利要求1或2所述的二氧化硅系复合微粒分散液，其中，进行了阳离子胶体滴定的情况下，得到下述式(1)所示的流动电位变化量ΔPCD、与坡折点时的阳离子胶体滴定液的添加量V之比ΔPCD/V为-110.0～-15.0的流动电位曲线，

ΔPCD/V＝(I-C)/V式(1)

C：所述坡折点时的流动电位(mV)

I：所述流动电位曲线的开始点时的流动电位(mV)

V：所述坡折点时的所述阳离子胶体滴定液的添加量(ml)。

10.一种研磨用磨粒分散液，其含有权利要求1或2所述的二氧化硅系复合微粒分散液。

11.根据权利要求10所述的研磨用磨粒分散液，其特征在于，其用于形成有二氧化硅膜的半导体基板的平坦化。