[发明专利]用于存储器单元的接地参考方案

说明书

本申请案涉及一种用于存储器单元的接地参考方案。本发明描述用于操作一或若干铁电存储器单元的方法、系统及装置。在数字线电压感测操作中可采用接地参考方案。可将正电压施加到存储器单元；且在所述单元的数字线的电压已达到阈值之后，可施加负电压以致使所述数字线电压在读取操作之前以接地为中心。在另一实例中，可将第一电压施加到存储器单元且然后可将等于所述第一电压的反相的第二电压施加到与所述存储器单元的数字线进行电子通信的参考电容器以致使所述数字线电压在读取操作之前以接地为中心。

交叉参考

本专利申请案主张2017年3月1日提出申请的第PCT/US2017/020251号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张维梅尔卡蒂(Vimercati)等人的第15/057,914号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案标题为“用于存储器单元的接地参考方案(GroundReference Scheme for a Memory Cell)”、于2016年3月1日提出申请、受让于其受让人，所述PCT申请案及所述美国专利申请案中的每一者明确地以其全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及一种用于存储器单元的接地参考方案。

背景技术

以下内容一般来说涉及存储器装置，且更具体来说涉及用于铁电存储器单元的接地参考方案。

存储器装置广泛地用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过将存储器装置的不同状态编程而被存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两种状态。为存取所存储信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电子装置可写入存储器装置中的状态或将所述状态编程。

存在各种类型的存储器装置，所述存储器装置包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器及其它存储器装置。存储器装置可是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，快闪存储器)甚至在缺少外部电源的情况下也可存储数据达延长的时间周期。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间失去其所存储状态，除非所述易失性存储器装置通过外部电源而周期性地刷新。二进制存储器装置可是易失性存储器装置的实例且可通过对电容器进行充电或放电而存储逻辑状态。然而，经充电电容器可随时间通过泄漏电流而放电，从而导致所存储信息的损失。易失性存储器的某些特征可提供性能优点，例如较快读取或写入速度，而非易失性存储器的特征(例如，在不需要周期性刷新的情况下存储数据的能力)可是有利的。

FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但可具有非易失性性质，这归因于使用铁电电容器作为存储装置。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有经改善性能。FeRAM感测方案可依赖于非零参考电压以与数字线电压相比较以便确定存储器单元中所存储的状态。然而，使用非零参考电压可无法适应数字线电压中的变化且在读取操作中可进一步引入错误。

发明内容

描述一种操作铁电存储器单元的方法。在一些实例中，所述方法可包含：将正电压施加到铁电存储器单元的铁电电容器，其中所述铁电电容器与数字线进行电子通信；响应于施加所述正电压而确定所述数字线的电压已达到阈值；及在所述数字线的所述电压达到所述阈值之后，将负电压施加到所述铁电电容器。

描述一种操作铁电存储器单元的方法。在一些实例中，所述方法可包含：将第一电压施加到所述铁电存储器单元的铁电电容器，其中所述铁电电容器与数字线进行电子通信；及将第二电压施加到与所述数字线进行电子通信的参考电容器，其中所述第二电压是所述第一电压的反相且至少部分地基于施加所述第一电压而被施加。