[发明专利]半导体存储器件、驱动方法和电子设备

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

至少一个或多个选择晶体管；

电阻变化元件，所述电阻变化元件一端连接到位线，另一端连接到选择晶体管的漏极端子，所述电阻变化元件的电阻值因被允许流过的预定值或者更大的电流而变化；以及

写入控制单元，所述写入控制单元连接到在所述选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，并控制在数据被写入电阻变化元件时流经电阻变化元件的电流，

其中所述写入控制单元是写入控制晶体管，所述写入控制晶体管的栅极端子被短路到源极端子和漏极端子中的一个端子，并且所述一个端子连接到选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，而另一个端子连接到写入控制配线，

其中选择晶体管和写入控制晶体管具有彼此不同的极性。

2.按照权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

读取控制单元，所述读取控制单元经由写入控制单元连接到电阻变化元件，并控制在从电阻变化元件读取数据时流经电阻变化元件的电流。

3.按照权利要求2所述的半导体存储器件，

其中所述写入控制单元是写入控制晶体管，所述写入控制晶体管的栅极端子被短路到源极端子和漏极端子中的一个端子，所述一个端子连接到选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，而另一个端子连接到写入控制配线，以及

所述读取控制单元是读取控制晶体管，所述读取控制晶体管的栅极端子被短路到源极端子和漏极端子中的一个端子，所述一个端子连接到写入控制晶体管和写入控制配线之间的连接点，而另一个端子连接到读取控制配线。

4.按照权利要求3所述的半导体存储器件，

其中选择晶体管和读取控制晶体管具有彼此不同的极性。

5.按照权利要求1所述的半导体存储器件，

其中所述电阻变化元件具有堆叠结构，在所述堆叠结构中，在磁化被固定在特定方向上的固定层和磁化未被固定的存储层之间，设置有具有绝缘性的隧道绝缘膜。

6.按照权利要求1所述的半导体存储器件，

其中所述写入控制单元由在存储器阵列中布置在特定行中的多个选择晶体管和电阻变化元件共用，在所述存储器阵列中，都包含选择晶体管、电阻变化元件以及写入控制单元的存储器单元被排列成阵列。

7.按照权利要求2所述的半导体存储器件，

其中所述写入控制单元和读取控制单元由在存储器阵列中布置在特定行中的多个选择晶体管和电阻变化元件共用，在所述存储器阵列中，都包含选择晶体管、电阻变化元件、写入控制单元以及读取控制单元的存储器单元被排列成阵列。

8.按照权利要求1所述的半导体存储器件，

其中当数据被写入电阻变化元件时，连接到除将被写入数据的预定电阻变化元件外的电阻元件的位线的电位被设定为浮动电位。

9.一种半导体存储器件的驱动方法，所述半导体存储器件具备：

至少一个或多个选择晶体管；

电阻变化元件，所述电阻变化元件一端连接到位线，另一端连接到选择晶体管的漏极端子，所述电阻变化元件的电阻值因被允许流过的预定值或者更大的电流而变化；以及

写入控制单元，所述写入控制单元连接到在所述选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，并控制在数据被写入电阻变化元件时流经电阻变化元件的电流，

所述驱动方法包括：

在数据被写入电阻变化元件时，使连接到除数据将被写入的预定电阻变化元件外的电阻元件的位线的电位为浮动电位，

其中所述写入控制单元是写入控制晶体管，所述写入控制晶体管的栅极端子被短路到源极端子和漏极端子中的一个端子，并且所述一个端子连接到选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，而另一个端子连接到写入控制配线，

其中选择晶体管和写入控制晶体管具有彼此不同的极性。

10.一种电子设备，包括：

半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

至少一个或多个选择晶体管；

电阻变化元件，所述电阻变化元件一端连接到位线，另一端连接到选择晶体管的漏极端子，所述电阻变化元件的电阻值因被允许流过的预定值或者更大的电流而变化；以及

写入控制单元，所述写入控制单元连接到在所述选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，并控制在数据被写入电阻变化元件时流经电阻变化元件的电流，

其中所述写入控制单元是写入控制晶体管，所述写入控制晶体管的栅极端子被短路到源极端子和漏极端子中的一个端子，并且所述一个端子连接到选择晶体管和电阻变化元件之间的连接点，而另一个端子连接到写入控制配线，

其中选择晶体管和写入控制晶体管具有彼此不同的极性。