[发明专利]用于使用箝位来进行数据保留和供给噪声缓解的装置

权利要求书

1.一种能够用于数据保留和供给噪声缓解的装置，包括：

第一功率栅晶体管，耦合至非栅控功率供给节点和栅控功率供给节点，所述第一功率栅晶体管具有能由第一逻辑控制的栅极端子；以及

第二功率栅晶体管，耦合至所述非栅控功率供给节点和所述栅控功率供给节点，所述第二功率栅晶体管具有能由第二逻辑控制的栅极端子，其中，所述第一功率栅晶体管比所述第二功率栅晶体管大，并且其中，所述第二逻辑具有多个模式，所述多个模式包括：

弱导通所述第二功率栅晶体管，

二极管连接所述第二功率栅晶体管，

导通所述第二功率栅晶体管，以及

断开所述第二功率栅晶体管。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二逻辑包括全体在尺寸上小于所述第二功率栅晶体管的尺寸的多个晶体管。

3.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑能操作以弱导通所述第二功率栅晶体管，使得在所述非栅控功率供给节点与所述栅控功率供给节点之间形成至少两个二极管。

4.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑能操作以在普通活动模式期间导通所述第二功率栅晶体管，并且其中，所述第二逻辑能操作以在破坏性睡眠模式期间完全断开所述第二功率栅晶体管。

5.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑能操作以使得所述第二功率栅晶体管在所述非栅控功率供给节点与所述栅控功率供给节点之间电气地形成二极管。

6.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑包括第一p型晶体管，所述第一p型晶体管耦合至所述第二功率栅晶体管的栅极端子和所述非栅控功率供给节点。

7.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑包括第二p型晶体管，所述第二p型晶体管与第一p型晶体管串联地耦合，并且耦合至所述第二功率栅晶体管的栅极端子和所述栅控功率供给节点。

8.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑包括第三p型晶体管，所述第三p型晶体管耦合至第一p型晶体管的栅极端子和所述第二功率栅晶体管的栅极端子。

9.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第二逻辑包括第四p型晶体管，所述第四p型晶体管耦合至第二p型晶体管的栅极端子和所述栅控功率供给节点。

10.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二逻辑包括第一n型晶体管，所述第一n型晶体管耦合至所述第二功率栅晶体管的栅极端子和接地节点。

11.如权利要求1至2中任一项所述的装置，其中，所述第一逻辑包括：

第一p型晶体管，耦合至所述非栅控功率供给节点和所述第一功率栅晶体管的栅极端子；以及

第一n型晶体管，与所述第一p型晶体管串联地耦合，所述第一n型晶体管耦合至所述第一功率栅晶体管的栅极端子和接地节点。

12.一种能够用于数据保留和供给噪声缓解的装置，包括：

第一功率栅晶体管，耦合至非栅控功率供给节点和栅控功率供给节点，所述第一功率栅晶体管具有能由第一逻辑控制的栅极端子；以及

第二功率栅晶体管，耦合至所述非栅控功率供给节点和所述栅控功率供给节点，所述第二功率栅晶体管具有能由第二逻辑控制的栅极端子，其中，所述第一功率栅晶体管比所述第二功率栅晶体管大，并且其中，所述第二逻辑包括：

第一p型晶体管，耦合至所述第二功率栅晶体管的栅极端子和所述非栅控功率供给节点；

第二p型晶体管，与所述第一p型晶体管串联地耦合，并且耦合至所述第二功率栅晶体管的栅极端子和所述栅控功率供给节点；

第三p型晶体管，耦合至所述第一p型晶体管的栅极端子和所述第二功率栅晶体管的栅极端子；以及

第四p型晶体管，耦合至所述第二p型晶体管的栅极端子和所述栅控功率供给节点。