[发明专利]簇离子束生成方法和使用该方法的簇离子束照射方法在审
| 申请号： | 201780023782.2 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109154072A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 广濑谅 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 簇离子 烃系化合物 饱和烃 分支链 构成元素 叔碳原子 束电流 侧链 照射 | ||
【权利要求书】：
1.一种簇离子束生成方法，其由烃系化合物原料生成构成元素中含有碳及氢的簇离子的射束，所述簇离子束生成方法的特征在于，
所述烃系化合物原料包含具备侧链的分支链饱和烃，所述分支链饱和烃仅通过叔碳原子而分支。
2.根据权利要求1所述的簇离子束生成方法，其中，
所述分支链饱和烃仅具有一个所述叔碳原子。
3.根据权利要求1所述的簇离子束生成方法，其中，
所述分支链饱和烃具有两个或三个以上的所述叔碳原子，所述两个或三个以上的所述叔碳原子均经由一个或两个以上的仲碳原子而键合。
4.根据权利要求3所述的簇离子束生成方法，其中，
所述分支链饱和烃具有两个所述叔碳原子。
5.根据权利要求4所述的簇离子束生成方法，其中，
所述两个所述叔碳原子经由一个仲碳原子而键合。
6.一种簇离子束照射方法，其特征在于，
将利用权利要求1至5中任一项所述的簇离子束生成方法而生成的簇离子束照射到半导体晶片的表面。
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