[发明专利]接合材料、接合材料的制造方法、接合结构的制作方法

权利要求书

1.一种接合材料，其中，

所述接合材料是用于将第一接合对象与第二接合对象进行接合的接合材料，所述第一接合对象包含金属基板或绝缘基板，所述第二接合对象包含半导体元件或金属配线，

所述接合材料含有银层以及非晶态银膜，

所述银层含有氧化银，

在所述接合材料配置于所述第一接合对象与所述第二接合对象之间之前，通过使所述银层内的所述氧化银熔融从而在所述银层的表面形成所述非晶态银膜。

2.根据权利要求1所述的接合材料，其特征在于，

所述银层具有细微结晶、柱状晶、等轴晶或混合晶粒结构。

3.根据权利要求1或2所述的接合材料，其特征在于，

所述银层的厚度是10nm以上1mm以下。

4.一种接合材料的制造方法，其中，

所述接合材料是用于将第一接合对象与第二接合对象进行接合的接合材料，所述第一接合对象包含金属基板或绝缘基板，所述第二接合对象包含半导体元件或金属配线，所述接合材料在配置于所述第一接合对象与所述第二接合对象之间之前含有非晶态银膜，

所述接合材料的制造方法包含：

准备银层的工序，该银层含有氧化银；和

加热所述银层并通过使所述银层内的所述氧化银熔融从而在所述银层的表面形成所述非晶态银膜的工序。

5.根据权利要求4所述的接合材料的制造方法，其特征在于，

准备所述银层的工序含有：通过镀膜在承载部件上形成所述银层的工序。

6.根据权利要求4所述的接合材料的制造方法，其特征在于，

准备所述银层的工序含有：通过溅射处理或者蒸镀在承载部件上形成所述银层的工序。

7.根据权利要求4所述的接合材料的制造方法，其特征在于，

准备所述银层的工序含有：通过化学气相沉积在承载部件上形成所述银层的工序。

8.根据权利要求4～7中任一项所述的接合材料的制造方法，其特征在于，

在准备所述银层的工序中，所述银层具有细微结晶、柱状晶、等轴晶或混合晶粒结构。

9.根据权利要求4～7中任一项所述的接合材料的制造方法，其特征在于，

在形成所述非晶态银膜的工序中，所述非晶态银膜形成在所述银层之上。

10.根据权利要求4～7中任一项所述的接合材料的制造方法，其特征在于，

形成所述非晶态银膜的工序含有：

放置与所述银层相对的对置部件的工序；和

放置了所述对置部件的状态下、加热所述银层在所述对置部件上形成所述非晶态银膜的工序。

11.一种接合结构的制作方法，包含：

第一接合对象和第二接合对象的准备工序，所述第一接合对象包含金属基板或绝缘基板，所述第二接合对象包含半导体元件或金属配线；

接合材料形成工序，所述接合材料在配置于所述第一接合对象与所述第二接合对象之间之前含有非晶态银膜，在所述第一接合对象和所述第二接合对象中的至少一个接合对象的表面上，形成所述接合材料；

层叠体形成工序，以所述接合材料位于所述第一接合对象与所述第二接合对象之间的方式，形成由所述第一接合对象、所述接合材料和所述第二接合对象层叠而成的层叠体；以及

接合工序，通过加热所述层叠体，利用所述接合材料将所述第一接合对象与所述第二接合对象进行接合，

所述接合材料形成工序包含：

准备银层的工序，该银层含有氧化银；和

加热所述银层并通过使所述银层内的所述氧化银熔融从而在所述银层的表面形成所述非晶态银膜的工序。

12.根据权利要求11所述的接合结构的制作方法，其特征在于，

在形成所述非晶态银膜的工序中，在加热所述层叠体之前形成所述非晶态银膜。