[发明专利]电化学传感器有效
| 申请号: | 201780022896.5 | 申请日: | 2017-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN109154582B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
| 发明(设计)人: | 西蒙·约翰斯顿;斯蒂芬·伯奇 | 申请(专利权)人: | 百灵达有限公司 |
| 主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
| 代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人: | 叶凡 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电化学传感器 | ||
1.一种测定水溶液中目标氧化剂的存在或数量的电化学传感器,包括:
细长的基底层,具有与第二端相对的第一端;
第一、第二和第三导电轨道以平行的相互间隔的方式轴向沉积在基底层上,其中第一导电轨道构成参比电极;其中在靠近基底层的第二端的第二导电轨道上沉积碳沉积物构成对电极,并且在靠近基底层第二端的第三导电轨道上的是碳沉积物,由此构成工作电极,其中在电接触中,第一、第二和第三导电轨道中的每一个终止于基底层的第一端附近;
非导电层沉积在第一、第二和第三导电轨道上,其中非导电层被制造以完全暴露靠近基底层的第一端的每个电接触点,以完全暴露靠近基底层第二端的第二导电轨道上的碳沉积物,以完全暴露靠近基底层的第二端的第一导电轨道和通过孔阵列部分暴露第三导电轨道上碳沉积的离散的工作区域;
沉积在工作电极表面或靠近工作电极的试剂配方,其中试剂配方包括还原剂;以及
沉积在非导电层上的支持电解质沉积物,支持电解质沉积物沉积在第二导电轨道上完全暴露的碳沉积物和完全暴露的第一导电轨道之间的非导电层区域上。
2.如权利要求1所述的电化学传感器,其中沉积在非导电层上的支持电解质沉积物的量足以在使用过程中,在非导电层表面的边界层区域内保留。
3.如权利要求1或2所述的电化学传感器,其中沉积在非导电层上的支持电解质沉积物的量超过2.0×10-6摩尔。
4.如权利要求3所述的电化学传感器,其中沉积在非导电层上的支持电解质沉积物的量的范围是2.1×10 -6至6.0×10 -6摩尔。
5.如权利要求1或2所述的电化学传感器,其中沉积在非导电层上的支持电解质沉积物从摩尔浓度超过0.626mol/l的支持电解质的水溶液中沉积得到。
6.如权利要求5所述的电化学传感器,其中沉积在非导电层生的支持电解质沉积物从摩尔浓度范围是0.63-1.90mol/l的支持电解质水溶液中沉积。
7.如权利要求1或2所述的电化学传感器,其中所述支持电解质是KCl。
8.如权利要求1或2所述的电化学传感器,其中支持电解质沉积物是在非导电层上离散沉积的多剂量的支持电解质。
9.如权利要求1或2所述的电化学传感器,其中每个孔为细长且垂直于第一、第二和第三导电轨道。
10.如权利要求1或2所述的电化学传感器,还包括:
轴向沉积在基底层上的第四导电轨道,其中第一、第二、第三和第四导电轨道处于平行的相互间隔的关系,其中,在第四导电轨道靠近基底层的第二端是碳沉积物,其中第三和第四导电轨道构成一对工作电极,其中第一和第二导电轨道的两侧翼排列的是第三和第三导电轨道,其中,第一、第二、第三和第四导电轨道的每个导电轨道在电接触中终止于基底层的第一端的附近,其中非导电层沉积在第一、第二、第三和第三导电轨道上,并且被制造成以完全暴露基底层的第一端附近的每个电接触,以完全暴露在靠近基底层第二端的第二导电轨道上的碳沉积物,以完全暴露靠近基板层的第二端的第一导电轨道,并通过孔阵列部分暴露第三和第四导电轨道的碳沉积物的离散工作区域,其中试剂配方沉积在一对工作电极中的任意一个或两个的附近或表面。
11.如权利要求10所述的电化学传感器,其中多剂量的沉积物以与第一,第二,第三和第四导电轨道平行、相互间隔的方式被沉积。
12.如权利要求10所述的电化学传感器,其中每个孔为细长且垂直于第一、第二、第三和第四导电轨道。
13.如权利要求10所述的电化学传感器,其中孔阵列中的每个孔是长方形。
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