[发明专利]具有带有疏水性纳米结构的波长转换层的光转换设备在审
| 申请号： | 201780022038.0 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108886072A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | J·B·M·舍恩马科斯;P·J·M·巴克姆斯 | 申请（专利权）人： | 飞利浦照明控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/50;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长转换层 光转换设备 固态光源 纳米结构 疏水性 波长转换 出射窗口 突起 施加 发射 | ||
1.一种光转换设备(1、11)，包括：
-固态光源(2)；
-波长转换层(3)，被布置为对由所述固态光源(2)所发射的光进行至少部分波长转换，所述波长转换层(3)具有面向所述固态光源(2)的后侧(4)、以及与所述后侧(4)相对的前侧(5)，其中所述波长转换层的所述前侧(5)限定所述光转换设备(1)的出射窗口；以及
-其中所述光转换设备(1)还包括被设置在所述波长转换层的所述前侧(5)上的、具有被间隔开的突起的疏水性纳米结构(6)，以及
其中所述光转换设备还包括被施加在所述疏水性纳米结构(6)的顶部上的保护涂层(7)。
2.根据权利要求1所述的光转换设备(1、11)，其中所述被间隔开的突起(66)的高度(D)被选择为大于在所述波长转换层的所述前侧(5)处被全内反射的光的渐逝波进入所述疏水性纳米结构(6)的穿透深度(dp)。
3.根据权利要求1或2所述的光转换设备(1、11)，其中所述疏水性纳米结构(6)的高度(D)为至少50nm、或75nm、或100nm、或125nm、或150nm、或175nm、或200nm。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光转换设备(1、11)，还包括在所述波长转换层的所述前侧(5)上的疏水性涂层。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光转换设备(1、11)，其中所述保护涂层(7)是硅树脂或聚氨酯。
6.一种照明系统，包括被布置在载体(20)上、并且彼此电连接的多个根据前述权利要求中任一项所述的光转换设备(1、11)。
7.一种用于制造光转换设备(1、11)的方法，所述方法包括以下步骤：
-提供(S1)固态光源(2)；
-布置(S2)波长转换层(3)以对由所述固态光源(2)在使用中所发射的光进行至少部分波长转换，所述波长转换层(3)具有面向所述固态光源(2)的后侧(4)、以及与所述后侧(4)相对的前侧(5)，其中所述波长转换层的所述前侧(5)限定所述光转换设备的出射窗口；以及
-提供(S3)疏水性纳米结构(6)，所述疏水性纳米结构(6)在所述波长转换层的所述前侧(5)上具有被间隔开的突起，
进一步在所述疏水性纳米结构(6)的顶部上提供保护涂层(7)。
8.根据权利要求7所述的用于制造光转换设备(1、11)的方法，其中在所述波长转换层的所述前侧(5)上提供(S3)疏水性纳米结构(6)的步骤包括：
-从所述波长转换层(3)去除材料以提供所述疏水性纳米结构(6)。
9.根据权利要求8所述的用于制造光转换设备(1、11)的方法，其中去除材料包括利用以下中的至少一项：激光烧蚀、蚀刻或相位掩模。
10.根据权利要求7所述的用于制造光转换设备(1、11)的方法，其中在所述波长转换层的所述前侧(5)上提供(S3)疏水性纳米结构(6)的步骤包括：
-向所述波长转换层(3)添加材料以提供所述疏水性纳米结构(6)。
11.根据权利要求10所述的用于制造光转换设备(1、11)的方法，其中添加材料包括：利用自组装阵列或气相沉积。
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