[发明专利]纯化方法及纯化装置有效
| 申请号： | 201780021917.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109414629B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 川上祥子;北野靖;安部宽太 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | B01D7/00 | 分类号： | B01D7/00;B01D1/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯化 方法 装置 | ||
1.一种使用纯化装置的纯化方法，该纯化装置包括：
通过使物质气化进行纯化的纯化部；
设置在所述纯化部的温度调节单元；
设置在所述纯化部的一个端部并具有对所述纯化部内供应气体的功能的气体供应单元；以及
设置在所述纯化部的另一个端部并具有从所述纯化部内排出气体的功能的气体排出单元，
该纯化方法包括如下步骤：
使用所述气体排出单元，将所述纯化部内设定为第一压力；
使用所述温度调节单元，设定所述纯化部的温度梯度，纯化所述物质；
在纯化所述物质之后，使用所述气体供应单元，将所述纯化部内的压力设定为第二压力；以及
在将所述纯化部内的压力设定为所述第二压力之后，使用所述温度调节单元，冷却所述纯化部，
其中，所述第二压力高于所述第一压力，
并且，所述第二压力为大气压以上。
2.根据权利要求1所述的纯化方法，
其中所述第一压力为10Pa以下。
3.根据权利要求2所述的纯化方法，
其中所述第一压力为0.1Pa以上。
4.根据权利要求1所述的纯化方法，
其中对所述纯化部进行加热，将所述纯化部内的一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。
5.一种纯化装置，包括：
使物质气化进行纯化的纯化部；
设置在所述纯化部的温度调节单元；
设置在所述纯化部的一个端部并具有对所述纯化部内供应气体的功能的气体供应单元；
设置在所述纯化部的另一个端部并具有从所述纯化部内排出气体的功能的气体排出单元；以及
控制系统，
其中，所述控制系统具有控制所述气体供应单元、所述气体排出单元及所述温度调节单元的功能，
所述控制系统具有控制所述气体排出单元来将所述纯化部内设定为第一压力的功能，
所述控制系统具有控制所述温度调节单元来设定所述纯化部的温度梯度的功能，
所述控制系统具有控制所述气体供应单元来在纯化所述物质之后将所述纯化部内的压力设定为第二压力的功能，
在将所述纯化部内的压力设定为所述第二压力之后，所述控制系统具有控制所述温度调节单元来冷却所述纯化部的功能，
所述第二压力高于所述第一压力，
并且，所述第二压力为大气压以上。
6.根据权利要求5所述的纯化装置，
其中所述第一压力为10Pa以下。
7.根据权利要求6所述的纯化装置，
其中所述第一压力为0.1Pa以上。
8.根据权利要求5所述的纯化装置，
其中对所述纯化部进行加热，将所述纯化部内的一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。
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