[发明专利]用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板的方法和系统

权利要求书

1.一种检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，包括：

-使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，

-从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，所述干涉条纹被布置成使得所述晶片的主表面(S)的区域穿过测量体积的至少一个干涉条纹，所述测量体积在所述晶片的径向方向上的尺寸(Dy)在5和100μm之间，其中，在所述测量体积的位置处，所述两个入射光束具有最小宽度2×W₀，其中W₀为表示所述两个入射光束的最小半径的值，

-收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，

-获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，

-在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，测量体积在与所述晶片的转动路径相切的方向上的尺寸(Dx)在5和100μm之间。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述晶片在光源的波长处是至少部分透明的。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，测量体积在垂直于晶片表面的方向上的尺寸(Dz)小于或等于所述晶片厚度的四分之一。

5.根据权利要求1或2之一所述的方法，其中，所述光源的功率大于或等于10mW。

6.根据权利要求1或2之一所述的方法，其中，所述光源的波长小于或等于900nm。

7.根据权利要求1或2之一所述的方法，其中，条纹间距离在0.1μm和10μm之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，测量体积在与所述晶片的转动路径相切的方向上的尺寸(Dx)在15和50μm之间。

9.一种检测用于微电子或光学的晶片(2)的系统(1)，包括：

-用于驱动晶片围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动的驱动 装置(10)，

-适用于发射光束的光源(20)，

-干涉装置(30)，其与光源耦合，以将由所述光源(20)发射的光束分成两个光束，并且在两个光束的交叉点处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，所述测量体积在所述晶片的径向方向上的尺寸(Dy)在5和100μm之间，所述干涉装置(30)和驱动装置(10)相对于彼此布置，使得转动的晶片的主表面的区域穿过测量体积的至少一个干涉条纹，其中，在所述测量体积的位置处，所述两个光束具有最小宽度2×W₀，其中W₀为表示所述两个光束的最小半径的值，

-用于收集由所述晶片散射光的装置(40)，

-用于获取所收集的光的装置(50)，其配置成发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，

-处理装置(60)，其被配置成在所述信号中检测所述收集的光中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量体积的时间特征，并且基于所述频率，能够确定缺陷在径向方向上和/或晶片的厚度上的位置。

10.根据权利要求9所述的系统，该系统还包括用于移动干涉装置(30)的臂和用于沿径向方向收集平移运动中的散射光的装置(40)，并且光源、获取装置和处理装置是固定的。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，所述干涉装置通过光纤与光源耦合，并且所述收集装置通过光纤与获取装置耦合。