[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。所述工序为：工序(A)，准备第1结构体(100)，所述第1结构体(100)具备依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性层叠膜(50)、以及粘贴于粘着性树脂层(30)上且具有第1端子(65)的第1半导体部件(60)；工序(B)，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，对第1结构体(100)进行回流焊处理；工序(C)，在工序(B)之后，将耐热性树脂层(10)从粘着性层叠膜(50)剥离。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

伴随着近年来的半导体装置的高集成化，提出了将多个半导体芯片层叠于一个封装内来进行安装的芯片上芯片(chip on chip)的技术，以及将半导体芯片安装于半导体晶片上的晶片上芯片(chip on wafer)、将半导体晶片安装于半导体晶片上的晶片上晶片(wafer on wafer)的技术等。

在这样的半导体装置的制造工序中，有时进行将半导体芯片、半导体晶片等半导体部件彼此通过使用焊料凸块的回流焊处理来进行接合的工序。

作为利用使用焊料凸块的回流焊处理进行的接合相关的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2014-143305号公报)所记载的技术。

专利文献1中记载了一种半导体装置的安装结构，其特征在于，是在将形成于安装基板的上表面的电极部与形成于半导体元件的上表面的电极部进行了电连接的状态下，在上述安装基板上安装上述半导体元件的半导体装置的安装结构，其具备凸型凸块和凹型凸块，所述凸型凸块具有：一端连接在上述半导体元件和上述安装基板中一方的电极部上且由高熔点金属形成的柱状的凸块柱(Bump post)、以及被覆该凸块柱的另一端部的上表面和侧面的第1阻挡层，所述凹型凸块具有：形成于上述半导体元件和上述安装基板中另一方的电极部上的第2阻挡层、以及将该第2阻挡层与上述凸型凸块的被上述第1阻挡层所被覆的上表面和侧面连接的由低熔点焊料形成的焊料构件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-143305号公报

发明内容

发明所要解决的课题

根据本发明人的研究，关于以往的半导体装置的制造方法，发现了以下那样的课题。

首先，本发明人认识到在以往的半导体装置的制造方法中，通过使用焊料凸块的回流焊处理来将半导体部件彼此进行接合时，固定半导体部件的粘着性膜发生变形，或熔融。在该情况下，粘着性膜上的半导体部件会发生位置偏移，导致不能良好地进行后续的半导体部件的拾取。

进一步，根据本发明人的研究可知，为了抑制粘着性膜的变形、熔融，如果提高粘着性膜的耐热性，则粘着性膜的变形、熔融得以抑制而半导体部件的位置偏移得以改善，而另一方面，此时粘着性膜的伸缩性、柔软性恶化，会导致不能良好地进行半导体部件的拾取。

即，以往的半导体装置的制造方法中，使用焊料凸块的回流焊处理后的半导体部件的拾取性尚有改善的余地。

因此，以往的半导体装置的制造方法中，从良好地进行使用焊料凸块的回流焊处理和半导体部件的拾取的观点出发，如图7所示那样，必须使粘着性膜50A上的半导体部件70A先移动至托盘80A等后再配置于回流焊炉90A，进行使用焊料凸块68A的回流焊处理，使获得的半导体部件70B再次移动至粘着性膜50A等后再进行切割工序、拾取工序，导致工序复杂。

即，本发明人等发现了，对于以往的半导体装置的制造方法，从兼顾回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的简化、以及半导体部件的拾取性这样的观点出发，尚有改善的余地。