[发明专利]对金属互连结构具有增强粘附性的纳米线接触垫在审

专利信息
申请号: 201780021572.X 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN108885515A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 高剑侠;拉维·帕兰伊斯瓦米;洪明雄 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张娜;李荣胜
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 观看区域 第一电极 薄片电阻 边界区域 触敏装置 导电网 电容式 金属互连结构 控制器连接 导电迹线 形式图案 耦合电容 末端处 纳米线 粘附性 检测 导电 互连 迹线 触摸 施加 延伸 配置
【权利要求书】:

1.一种电容式触敏装置,包括:

触敏观看区域,所述触敏装置被配置为通过检测耦合电容的变化来检测施加至所述触敏观看区域的触摸的位置;

边界区域,所述边界区域围绕所述触敏观看区域;以及

导电的第一电极,所述导电的第一电极包括有源部分和处于所述第一电极的末端处的端部部分,所述有源部分设置在所述触敏观看区域中并且延伸跨越所述触敏观看区域,所述端部部分设置在所述边界区域中以用于与控制器连接,所述第一电极的所述有源部分在所述观看区域上具有基本上均匀的第一薄片电阻,所述第一电极的所述端部部分以导电网的形式图案化,所述导电网包括将多个空隙限定在其间的多个互连导电迹线,其中所述迹线基本上具有所述第一薄片电阻,并且所述空隙具有较高的第二薄片电阻。

2.根据权利要求1所述的电容式触敏装置,还包括设置在所述边界区域中的第一总线,所述第一总线的第一端部部分终止于所述边界区域中的连接区域以用于与控制器连接,所述第一总线的相对第二端部部分终止于所述多个互连导电迹线和所述多个空隙并且基本上覆盖所述多个互连导电迹线和所述多个空隙,所述第一总线的所述端部部分与所述第一电极的所述端部部分的所述导电迹线电接触。

3.根据权利要求1所述的电容式触敏装置,其中所述第一电极的所述有源部分和所述第一电极的所述端部部分的所述互连导电迹线包括基本上相同的均匀分布的交叉导电纳米线。

4.根据权利要求1所述的电容式触敏装置,其中所述空隙是基本上不导电的。

5.根据权利要求1所述的电容式触敏装置,还包括设置在所述导电网上并且与所述导电网对准和共同延伸的图案化电介质层。

6.根据权利要求1所述的电容式触敏装置,其中所述导电的第一电极是光学透明的。

7.一种电容式触敏装置,包括:

光学透明的基板,所述光学透明基板限定由边界区域围绕的触敏观看区域;

多个间隔开的光学透明且导电的第一电极,所述多个间隔开的光学透明且导电的第一电极设置在所述触敏区域中的所述基板上并且沿着第一方向(x)延伸;

多个间隔开的光学透明且导电的第二电极,所述多个间隔开的光学透明且导电的第二电极设置在所述触敏区域中的所述基板上并且沿着不同的第二方向(y)延伸,所述触敏装置被配置为通过检测在触摸位置附近横越彼此的第一电极与第二电极之间的耦合电容的变化来检测施加在所述触敏区域中的触摸的位置,第一电极和第二电极均包括多个交叉的导电纳米线,第一电极和第二电极均包括有源部分和处于电极的末端处的端部部分,所述有源部分设置在所述触敏观看区域中并且延伸跨越所述触敏观看区域,所述端部部分设置在所述边界区域中的所述基板上,所述端部部分以导电规则网的形式图案化,所述导电规则网包括将多个绝缘空隙限定在其间的多个互连导电迹线;以及

多个导电的总线,所述多个导电的总线设置在所述边界区域中的所述基板上,每个总线具有第一端部部分和相对的第二端部部分,所述第一端部部分终止于所述边界区域中的连接区域以用于与控制器连接,所述第二端部部分终止于相应的第一电极或第二电极的所述多个互连导电迹线和所述多个绝缘空隙并且基本上覆盖相应的第一电极或第二电极的所述多个互连导电迹线和所述多个绝缘空隙,所述总线的所述第二端部部分在所述多个空隙中粘附至所述基板。

8.一种电容式触敏装置,包括:

一体式且导电的第一电极,所述一体式且导电的第一电极具有在相对的第一端部部分与第二端部部分之间延伸的中间部分,所述第一电极包括基本上均匀分布的交叉导电纳米线,所述第一端部部分中的所述纳米线以导电规则网的形式图案化,所述导电规则网包括将多个空隙限定在其间的多个规则布置的互连导电迹线,所述迹线具有第一薄片电阻,所述空隙具有较高的第二薄片电阻。

9.根据权利要求8所述的电容式触敏装置,其中所述空隙是基本上不导电的。

10.根据权利要求8所述的电容式触敏装置,其中所述第二端部部分中的所述纳米线以导电规则网的形式图案化,所述导电规则网包括将多个空隙限定在其间的多个规则布置的互连导电迹线,所述迹线具有第三薄片电阻,所述空隙具有较高的第四薄片电阻。

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