[发明专利]用于制备复合晶圆的方法

权利要求书

1.一种用于制备复合晶圆的方法，通过将钽酸锂晶圆或铌酸锂晶圆(下文中称为“堆叠晶圆”)粘合到具有比所述钽酸锂晶圆或所述铌酸锂晶圆更小的热膨胀系数的支撑晶圆来制备复合晶圆，

其中，在粘合到一起之前，执行从所述堆叠晶圆和/或所述支撑晶圆的粘合表面注入离子以干扰各个所述粘合表面附近的结晶度的离子注入步骤。

2.根据权利要求1所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，所述离子为氢离子(H⁺)，剂量为1.0×10¹⁶个原子/cm²或更大且为1.0×10¹⁷个原子/cm²或更小。

3.根据权利要求1所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，所述离子为氢分子离子(H₂⁺)，剂量为5.0×10¹⁵个原子/cm²或更大且为5.0×10¹⁶个原子/cm²或更小。

4.根据权利要求1所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，所述离子为氦离子(He⁺)，剂量为1.0×10¹⁶个原子/cm²或更大且为1.0×10¹⁷个原子/cm²或更小。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，在执行所述离子注入步骤之后并且在粘合到一起之前，执行通过在所述堆叠晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面上进行臭氧水处理、UV臭氧处理、离子束处理或等离子体处理而进行表面活化处理的表面活化步骤。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，所述支撑晶圆由硅或蓝宝石形成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，在所述离子注入步骤之前，执行在所述堆叠晶圆和/或所述支撑晶圆的所述粘合表面上形成由SiO₂、SiON或SiN形成的绝缘膜的绝缘膜形成步骤。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制备复合晶圆的方法，其中，所述堆叠晶圆具有在厚度方向上朝向所述粘合表面增加的锂浓度。