[发明专利]用于覆盖光伏表面的方法和通过这种方法制造的光伏表面在审
申请号: | 201780021376.2 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN109075217A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 法布里齐奥·奇亚拉;詹卡洛·卡塞拉托 | 申请(专利权)人: | 法布里齐奥·奇亚拉;詹卡洛·卡塞拉托 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 顾一明 |
地址: | 意大利都灵区圣弗兰*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光伏 图形表示 图形网格 覆盖 制造 空白区域 穿孔 填充 关联 | ||
1.一种用于覆盖至少一个光伏表面的方法,包括以下步骤:
-提供至少一个图形表示和至少一个光伏表面,所述图形表示适于向所述光伏表面赋予美学性质;
-制造由至少一个空白区域(B)和至少一个填充区域(D)组成的至少一个图形网格(1);
-将所述图形表示与所述图形网格(1)相关联,以获得根据所述区域(B、D)的穿孔图形表示;以及
-用所述穿孔图形表示至少部分地覆盖所述光伏表面,
所述方法的特征在于所述区域(B、D)之间的百分比(E)介于10%与90%之间。
2.根据前一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述方法还包括以下步骤:
-限定至少一个基本图形元件(2);
-制造由多个所述基本图形元件(2)组成的所述图形网格(1)。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述空白区域(B)适于使太阳光能够入射到所述光伏表面上,并且所述填充区域(D)适于构成所述图形表示的施加区。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述穿孔图形表示通过以下方式作为所述光伏表面的覆盖物而施加:
-通过将所述光伏表面插入至少一台打印机内而直接打印;和/或
-分别制造所述图形表示,根据所述图形网格(1)从所述填充区域(D)中适当地移除所述空白区域(B),然后胶合到所述光伏表面上;和/或
-将所述穿孔图形表示打印在至少一个适当透明的支撑物上以胶合或固定到所述光伏表面上。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述图形网格(1)通过沿三个空间方向重复所述基本图形元件(2)而获得;如果所述基本图形元件(2)围绕至少一个旋转中心而重复,则通过至少一个旋转对称而获得;或者如果所述基本图形元件(2)通过沿着线的至少一个移动而重复,则通过平移对称而获得;或者如果所述基本图形元件(2)通过相对于旋转轴线的至少一个翻转而重复,则通过镜像对称而获得。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基本图形元件(2)根据第一关系A=L2具有等于所述基本图形元件(2)的边(L)的至少一个尺寸的平方的总面积(A),并且根据第二关系B=(L-2D)2具有与所述基本图形元件(2)的所述边(L)的所述尺寸和至少一个填充区域(D)的至少一个尺寸相关的至少一个空白面积(B),所述至少一个填充区域(D)的至少一个尺寸等于所述总面积(A)的所述边(L)的至少一个厚度值。
7.根据前一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述基本图形元件(2)根据第三关系具有等于所述空白面积(B)与所述总面积(A)之间的至少一个比率的至少一个所述百分比(E)值。
8.一种光伏表面,其特征在于,所述光伏表面通过根据前述权利要求中任一项所述的方法被至少一个图形表示至少部分地覆盖。
9.根据前一项权利要求所述的光伏面表,其特征在于,所述穿孔图形表示由至少一个所述图形网格(1)限定,所述图形网格由至少一个所述空白区域(B)和至少一个所述填充区域(D)组成,使得所述区域(B、D)之间的百分比(E)介于10%与90%之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法布里齐奥·奇亚拉;詹卡洛·卡塞拉托,未经法布里齐奥·奇亚拉;詹卡洛·卡塞拉托许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的