[发明专利]非晶相氧化物基正极活性材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于全固态二次电池的正极的生产材料的非晶相氧化物基正极活性材料，其包含选自Li和Na的碱金属；选自Co、Ni、Mn、Fe、Cr、V、Cu、Ti、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru和Sn的第二金属；选自磷酸根离子、硫酸根离子、硼酸根离子、硅酸根离子、铝酸根离子、锗酸根离子、硝酸根离子、碳酸根离子和卤离子的离子物质；以及除构成所述离子物质的氧原子外的氧原子；所述非晶相氧化物基正极活性材料呈现在XRD图中所有2θ峰均具有0.5以上的半峰宽的非晶态。

2.根据权利要求1所述的非晶相氧化物基正极活性材料，其中，该非晶相氧化物基正极活性材料为用于全固态二次电池的正极的生产材料；

所述非晶相氧化物基正极活性材料

（i）包含选自Li和Na的碱金属；选自Co、Ni、Mn、Fe、Cr、V、Cu、Ti、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru和Sn的第二金属；选自磷酸根离子、硫酸根离子、硼酸根离子、硅酸根离子、铝酸根离子、锗酸根离子、硝酸根离子、碳酸根离子和卤离子的离子物质；以及除构成所述离子物质的氧原子外的氧原子；

（ii）至少含有非晶相；并且

（iii）是厚度为20μm以上的正极的生产材料。

3.根据权利要求1所述的非晶相氧化物基正极活性材料，其中，所述非晶相氧化物基正极活性材料包含选自Li和Na的碱金属；选自Co、Ni、Mn、Fe、Cr、V、Cu、Ti、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru和Sn的第二金属；选自磷酸根离子、硫酸根离子、硼酸根离子、硅酸根离子、铝酸根离子、锗酸根离子、硝酸根离子、碳酸根离子和卤离子的离子物质；以及除构成所述离子物质的氧原子外的氧原子；为非晶态；并且是厚度为20μm以上的用于全固态二次电池的正极的生产材料。

4.根据权利要求3所述的非晶相氧化物基正极活性材料，其中，所述非晶相氧化物基正极活性材料包含非晶相和结晶相。

5.根据权利要求1所述的非晶相氧化物基正极活性材料，其中，所述非晶相氧化物基正极活性材料包含来自碱金属氧化物和碱金属盐的组分，其中所述碱金属氧化物选自LiCoO₂、LiNiO₂、LiMnO₂、Li₂MnO₃、Li(Ni, Co, Mn)O₂、Li₂TiO₃、LiFeO₂、LiCrO₂、Li₂CuO₂、LiCuO₂、LiMoO₂、Li₂RuO₃、Li₃NbO₄、Li₃V₂(PO₄)₃、LiMn₂O₄和Li(Ni, Mn)O₄的锂基化合物以及NaCoO₂、NaNiO₂、NaMnO₂、Na₂MnO₃、Na(Ni, Co, Mn)O₂、NaFeO₂、Na₂TiO₃、NaCrO₂、Na₂CuO₂、NaCuO₂、NaMoO₂、Na₂RuO₃、Na₃NbO₄、Na₃V₂(PO₄)₃、NaMn₂O₄和Na(Ni, Mn)O₄的钠基化合物，并且所述碱金属盐选自AxByOz和AX；AxByOz中，A为Li或Na；B选自P、S、B、C、Si、Al、Ge和N；x为1以上；y为1以上；z为1以上；且x、y和z是化学计量可能的值；AX中，A为Li或Na；且X选自F、Cl、Br和I。