[发明专利]半导体基板的保护膜形成方法

说明书

提供了在从研磨头剥离半导体基板时新形成表面活性剂溶液的保护膜由此抑制颗粒等杂质的附着并抑制LPD数的恶化的半导体基板的保护膜形成方法。本发明的半导体基板的保护膜形成方法包括：第一保护膜形成工序Y1，所述第一保护膜形成工序Y1对研磨的半导体基板的表面进行利用表面活性剂溶液的亲水化处理，由此，形成保护膜；以及第二保护膜形成工序Y2，所述第二保护膜形成工序Y2在所述第一保护膜形成工序Y1之后，在所述研磨的半导体基板的至少表面与由表面活性剂溶液所形成的保护膜形成处理液的液面相接的状态下，从研磨头剥离半导体基板，并且将研磨的半导体基板浸渍于所述保护膜形成处理液，由此，在半导体基板的表面和背面形成保护膜。

技术领域

本发明涉及半导体基板的保护膜形成方法，特别地涉及抑制在从研磨头剥离半导体基板时形成的颗粒等杂质的附着的半导体基板的保护膜形成方法。

背景技术

晶圆等半导体基板一般经过如下工序来制造，即：利用化学机械性研磨（CMP；chemical mechanical polishing）的粗研磨/主研磨工序、冲洗处理工序、亲水化处理工序、从研磨头剥离半导体基板的剥离工序、以及洗净所研磨的半导体基板的洗净工序等。

然而，近年，伴随着半导体器件的高集成化/高密度化，要求对半导体基板的颗粒等杂质附着的进一步抑制。

作为该杂质附着的抑制方法，例如，在专利文献1中，完成了如下的提案，即：在研磨中与作为研磨剂的浆液同时向研磨桌台上供给表面活性剂溶液，与研磨结束同时用表面活性剂覆盖研磨表面，由此，在后工序的洗净中提高晶圆表面的颗粒的除去效率。

基于图13来说明该专利文献1所记载的杂质附着的抑制方法。

如图13所示，在该杂质附着的抑制方法中，通过表面活性剂喷嘴4喷出表面活性剂溶液来覆盖晶圆W的背面，由此，形成保护膜，进而，使表面活性剂溶液从喷嘴7向研磨桌台5上流动，由此，用表面活性剂覆盖晶圆W的表面，由此，形成保护膜。

即，专利文献1所记载的杂质附着的抑制方法通过在晶圆W的表面和背面形成由前述表面活性剂溶液所形成的保护膜来谋求杂质附着的抑制。

具体地说明的话，通过图13所示的装载器1从晶圆盒2取出晶圆W，使装载器1的臂部1a旋转来搬送到晶圆保持部（研磨头）3之下。此时，晶圆W以其背面向上的方式被保持于装载器1，通过表面活性剂喷嘴4喷出表面活性剂溶液来弄湿晶圆W的背面，形成保护膜。

接着，晶圆保持部（研磨头）3下降，装配晶圆W。晶圆保持部（研磨头）3在研磨桌台5上沿箭头的方向移动，下降而通过浆液供给喷嘴6使浆液流动，同时将晶圆W压上到旋转的研磨桌台5，来研磨晶圆W的表面。

此外，在与前述浆液的供给同时使表面活性剂溶液从喷嘴7向研磨桌台5上流动，由此，在与晶圆W的研磨结束同时对晶圆W的表面形成表面活性剂溶液的保护膜。

当前述研磨结束时，晶圆保持部（研磨头）3上升而沿箭头的方向移动，再次，如箭头那样下降并停止。然后，向卸载机8的臂部8a移载晶圆W。

接着，卸载机8的臂部8a旋转，向从液槽9的纯水10中拉上的晶圆盒11收纳晶圆W。然后，通过未图示的升降机机构使晶圆盒11下降，将完成研磨的晶圆W浸渍于纯水10中。之后，向其他的液槽搬送，进行晶圆W的洗净。

像这样，在研磨工序前、在研磨工序中供给表面活性剂溶液，由此，在晶圆W的背面和表面形成保护膜。

其结果是，即使在研磨后在用晶圆保持部（研磨头）3搬送晶圆W时晶圆W暴露于空气中，晶圆W的背面和表面也都维持被表面活性剂溶液弄湿的状态（形成保护膜的状态），在洗净工序中提高晶圆表面的颗粒的除去效率。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平08-197418号公报。